[發(fā)明專利]陣列化鎳硅納米線及鎳硅-硅核殼納米線的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110167445.5 | 申請日： | 2011-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102263243A | 公開（公告）日： | 2011-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 杜寧;樊星;吳平;楊德仁 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | H01M4/1395 | 分類號： | H01M4/1395;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 化鎳硅 納米 硅核殼 制備 方法 | ||
1.一種陣列化鎳硅納米線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將用于鋰離子電池負(fù)極基體的金屬襯底用鹽酸和乙醇分別清洗，隨后干燥備用；
(2)通過熱絲化學(xué)氣相沉積裝置在經(jīng)步驟(1)清洗過的金屬襯底表面生長陣列化鎳硅納米線，設(shè)置硅烷流量為10～1000sccm，氫氣流量為10～1000sccm，腔體氣壓為10～1000Pa，溫度為200～1000℃，反應(yīng)時間為1～300min，得到陣列化鎳硅納米線。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列化鎳硅納米線的制備方法，其特征在于，所述金屬襯底為泡沫鎳、鎳箔、表面鍍鎳的泡沫銅、表面鍍鎳的銅箔或表面鍍鎳的鈦箔。
3.一種鎳硅-硅核殼納米線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將用于鋰離子電池負(fù)極基體的金屬襯底用鹽酸和乙醇分別清洗，隨后干燥備用；
(2)通過熱絲化學(xué)氣相沉積裝置在經(jīng)步驟(1)清洗過的金屬襯底表面生長陣列化鎳硅納米線，設(shè)置硅烷流量為10～1000sccm，氫氣流量為10～1000sccm，腔體氣壓為10～1000Pa，溫度為200～1000℃，反應(yīng)時間為1～300min，得到陣列化鎳硅納米線；
(3)通過射頻濺射的方法在步驟(2)得到的陣列化鎳硅納米線的表面沉積一層厚度可控的硅，設(shè)置硅襯底溫度為20～500℃，氬氣流量為10～1000sccm，腔體氣壓為1～100Pa，濺射功率為10～1000W，濺射時間為1～300min，得到陣列化鎳硅-硅核殼納米線。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列化鎳硅納米線的制備方法，其特征在于，所述金屬襯底為泡沫鎳、鎳箔、表面鍍鎳的泡沫銅、表面鍍鎳的銅箔或表面鍍鎳的鈦箔。
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