[發明專利]無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿及其制備方法無效
| 申請號: | 201110166569.1 | 申請日: | 2011-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN102231392A | 公開(公告)日: | 2011-11-02 |
| 發明(設計)人: | 公立;王國芳;王保德;張淑鴻;席友誼 | 申請(專利權)人: | 西安創聯光電新材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01B1/22;H01B13/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710065 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無鉛高 粘度 太陽能電池 正面 電極 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池用正面銀漿技術領域,具體地說是一種無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿及其制備方法。
背景技術
太陽能電池正面導電銀漿在太陽能電池領域主要用作電極材料,隨著太陽能電池制造技術的發展,對電池電極材料的要求是:漿料印刷細線化;漿料成本下降。
此外,太陽能電池用漿料,要求漿料具有良好的印刷性能,印燒后有良好的電性能、可焊性及硅片不發生變形,燒制后不起珠,組裝時不起灰等。目前的太陽能電極印燒用電子漿料主要是背面鋁漿、背面銀鋁漿和正面銀漿三種,三種漿料的主要原料不同,性能各有差異,正面銀漿通常用作電池柵極即受光面,而背面銀鋁漿和背面鋁漿用在背場電極即背陽面,鋁漿制備在國內已經得到突破,產品質量基本滿足生產要求,背面銀鋁漿目前已能夠生產。但正面銀漿制備技術一直未得到突破,性能與國際廠商的產品還有大的差距,主要是存在和硅的附著力差、含鉛等缺點,且導電性較差,導致電極的接觸電阻較大。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足,提供一種無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿及其制備方法。
本發明技術方案如下:
一種無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿,其組分及重量百分比為功能相85%~90%;粘結相2%~10%;有機載體5.5%~20%;所述功能相為導電銀粉,所述粘結相為玻璃粘合劑。
所述的無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿,所述導電銀粉為精細球形導電銀粉,其粒徑為0.2~2μm。
所述的無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿,所述玻璃粘合劑為鉍-硅玻璃體系,該體系的組分及重量百分比為:Bi2O3?40~50%;ZnO?20~30%;B2O3?20~25%;Al2O3?0~4%;SiO2?0.5~4%;CaO?0~4%;TiO2?0~4%;另有5~10%添加劑,所述添加劑選自五氯化磷和Ⅷ族金屬鹵化物中的至少一種。
所述的無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿,所述有機載體由有機溶劑和有機樹脂配制而成,所述有機溶劑為松油醇、松節油、醚類中的一種或其組合,所述有機樹脂由蓖麻油和乙基纖維素、鄰苯二甲酸二丁酯、丙烯酸樹脂或聚丁烯醇縮丁醛中的一種或其組合組成。
一種無鉛高粘度太陽能電池正面電極銀漿的制備方法,包括以下步驟:
1、粘結相制備:Bi2O3?40~50%;ZnO?20~30%;B2O3?20~25%;Al2O3?0~4%;SiO2?0.5~4%;CaO?0~4%;TiO2?0~4%;將稱量好的Bi2O3、ZnO、B2O3、Al2O3、SiO2、CaO、TiO2混合均勻后置于馬弗爐加熱,溫度控制在900~1200℃,保溫30~60分鐘,將熔化后的玻璃粉末顆粒使用去離子水淬火后,加入所述催化劑(五氯化磷和所述Ⅷ族金屬鹵化物),球磨至0.5~2μm過400目篩得到玻璃粘結劑;
2、有機載體的制備:將有機溶劑和有機樹脂混合加熱到90~120℃,充分攪拌至完全溶解后制成淡黃色透明有機粘合劑;
3、將85-90%的銀粉及2-10%玻璃粉粘合劑混合,研磨至外觀細膩,無顆粒時,再加入5.5-20%的有機載體攪拌均勻。
本發明提供的太陽能電池正面銀漿不含鉛,完全符合環保要求,能在太陽能電池表面形成附著力強、低歐姆接觸電阻的導電電極,電池光電轉化效率高,是含鉛銀漿的理想取代物。
產品滿足以下技術指標:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安創聯光電新材料有限公司,未經西安創聯光電新材料有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110166569.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





