[發明專利]雙波段共孔徑平板陣列天線

無效

• 申請號: 201110166424.1
• 申請日: 2011-06-21
• 公開（公告）號: CN102394379A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 李斌;趙交成;劉輝
• 申請（專利權）人: 中國兵器工業第二○六研究所
• 主分類號: H01Q13/20
• 分類號: H01Q13/20;H01Q21/00;H01Q21/28
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 張問芬

1.一種雙波段共孔徑平板陣列天線，包含介質基片(1)，單脊波導輻射縫隙陣面(2)，基片集成波導輻射縫隙陣面(3)，多層金屬支撐部分(4)，單脊波導縫隙陣饋電網絡(5)，基片集成波導縫隙陣饋電網絡(6)；其特征在于：單脊波導輻射縫隙陣面(2)由多排平行排列的單脊波導輻射縫隙線陣(7)組成，基片集成波導輻射縫隙陣列由多排平行排列的基片集成波導輻射縫隙線陣(11)組成，單脊波導輻射縫隙線陣(7)與基片集成波導輻射縫隙線陣(11)在天線陣面上組陣結構為：在天線陣面中心的兩條單脊波導輻射縫隙線陣(7)之間設置四條基片集成波導輻射縫隙線陣(11)，其它每兩條單脊波導輻射縫隙線陣之間設置三條基片集成波導輻射縫隙線陣，兩種形式的縫隙互相平行，極化方向相同；天線陣面被劃分為四個對稱象限，每個象限有單脊波導輻射縫隙陣饋電網絡(5)和基片集成波導輻射縫隙陣饋電網絡(6)分別對單脊波導輻射縫隙陣面和基片集成波導輻射縫隙陣面饋電，以實現兩維單脈沖天線功能，單脊波導縫隙陣面工作在X波段，而基片集成波導縫隙陣面工作在Ka波段，兩種形式的陣列共孔徑而又在不同的頻段獨立工作互不影響。

2.根據權利要求1所述的雙頻段共孔徑平板陣列天線，其特征在于：設置在天線陣面中心的兩條單脊波導輻射縫隙線陣(7)之間的四條基片集成波導輻射縫隙線陣間的間距為6mm，其它每兩條單脊波導輻射縫隙線陣中添加的三條基片集成波導輻射縫隙線陣間的間距為8mm。

3.根據權利要求1所述的雙頻段單脈沖平板陣列天線，其特征在于：單脊波導輻射縫隙線陣(7)的輻射縫隙為波導寬邊縱向偏置縫(8)，耦合饋電波導(5)在單脊波導輻射陣面下方，并與單脊波導輻射縫隙線陣正交，所述耦合饋電波導包含有一個開斜縫的縫隙耦合波導(13)和給縫隙耦合波導饋電的饋電波導(14)，通過中心傾斜縫(10)給單脊波導輻射縫隙線陣耦合饋電。

4.根據權利要求1所述的雙頻段單脈沖平板陣列天線，其特征在于：各個基片集成波導輻射縫隙陣饋電網絡(6)包含一根與陣面垂直的饋電波導(15)，一根與饋電波導(15)垂直相連的縫隙波導(16)和多根給基片集成波導縫隙線陣饋電的縫隙耦合波導(17)，縫隙耦合波導(17)和縫隙波導(16)垂直相連。

5.根據權利要求1所述的雙頻段單脈沖平板陣列天線，其特征在于：基片集成波導輻射縫隙線陣(11)的縫隙開在兩排金屬化通孔之間，為基片集成波導寬邊縱向偏置縫(12)，各縱向偏置縫之間間隔為一個基片集成波導波長。

6.根據權利要求1所述的雙頻段單脈沖平板陣列天線，其特征在于：在介質基片(1)上開設金屬化通孔構成基片集成波導，介質材料采用Rogers?5880，介質基片厚度為0.508mm，介質基片上還開有與單脊波導輻射縫隙形狀一致的金屬化縫隙，與對應單脊波導縫隙陣列的輻射縫隙構成X波段輻射縫隙。