[發明專利]一種金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構

無效

• 申請號: 201110166314.5
• 申請日: 2011-06-20
• 公開（公告）號: CN102839358A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 李剛;孫仁君
• 申請（專利權）人: 上海永勝半導體設備有限公司
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 林儉良

1.一種金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，包括反應腔、設置在所述反應腔內的載盤、支撐所述載盤的載盤支撐、以及設置在所述載盤下側的加熱體；其特征在于，還包括在所述加熱體下側設置的熱屏蔽層、接入吹掃氣體的進氣通路、以及排出吹掃氣體的出氣通路；

所述加熱體設置在所述熱屏蔽層與所述載盤底部之間的加熱空間內；所述進氣通路接入吹掃氣體送至所述加熱空間后，并沿水平方向擴散后經所述出氣通路排出。

2.根據權利要求1所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述反應腔包括腔體底板、以及在所述腔體底板四周設置的腔體側板。

3.根據權利要求2所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述進氣通路包括在所述腔體底板和/或腔體側板上均勻分布的氣體入口通道，以及一端與所述氣體入口通道相接、另一端與所述加熱空間相接的、四周封閉的進氣通道。

4.根據權利要求3所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述出氣通路包括在所述腔體底板和/或腔體側板上均勻分布的氣體出口通道，以及一端與所述氣體出口通道相接、另一端與所述加熱空間相接的出氣通道。

5.根據權利要求4所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述載盤支撐包括設置在所述反應腔的中間位置并支撐所述載盤的中間位置的中央支撐、連接所述中央支撐到所述腔體底板的中央連接件、以及設置在所述反應腔的邊緣并支撐所述載盤邊緣的邊緣支撐。

6.根據權利要求5所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述中央支撐的外圍設有通道屏蔽，所述通道屏蔽的下部與所述中央連接件相接，所述通道屏蔽的上部與所述熱屏蔽層相接并延伸至所述加熱空間；

所述氣體入口通道包括在所述腔體底板接入的氣體入口管道、以及在所述中央連接件上部設置的水平通道；

所述進氣通道由所述中央支撐的外壁與所述通道屏蔽的內壁共同圍成，并且下部與所述水平通道連通，上部與所述加熱空間連通。

7.根據權利要求6所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述中央連接件為中空結構，并且其側壁開設有若干出氣孔；

所述氣體出口通道設置在所述中央連接件的內側，與所述出氣孔連通；

所述熱屏蔽層的外側邊緣與所述邊緣支撐的內壁之間設有縫隙；

所述出氣通道由所述縫隙、熱屏蔽層與所述腔體底板之間的空間、所述出氣孔和中央連接件的內部空間共同圍成。

8.根據權利要求4所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述載盤支撐包括設置在所述反應腔的中間位置并支撐所述載盤的中間位置的中央支撐；

所述氣體入口通道包括在所述腔體底板接入的氣體入口管道；

所述中央支撐的外圍設有通道屏蔽，所述通道屏蔽的下部與所述氣體入口管道相接，所述通道屏蔽的上部與所述熱屏蔽層相接并延伸至所述加熱空間；

所述熱屏蔽層的外側還設有豎直熱屏蔽層，所述豎直熱屏蔽層頂部與所述載盤的底部之間設有縫隙；

所述出氣通道由所述縫隙、所述腔體側板的內壁與所述豎直熱屏蔽層的外壁共同圍成；所述氣體出口通道設置在所述腔體底板的邊緣處。

9.根據權利要求4所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述載盤支撐包括設置在所述反應腔的邊緣位置并支撐所述載盤的邊緣位置的邊緣支撐；

所述氣體入口通道包括在所述腔體底板的邊緣位置處設置的氣體入口管道；

所述邊緣支撐的內側設有通道屏蔽，所述通道屏蔽的下部與所述氣體入口管道相接，所述通道屏蔽的上部與所述熱屏蔽層相接并延伸至所述加熱空間，所述腔體側板的內壁與所述通道屏蔽的外壁共同圍成封閉的所述進氣通道；

所述邊緣支撐的側壁設有若干出氣孔，所述熱屏蔽層的中間位置處設有與所述熱屏蔽層與所述腔體底板之間的空間連通的開孔；

所述出氣通道由所述腔體側板的內壁與所述邊緣支撐的外壁之間的空間、出氣孔、所述熱屏蔽層與所述腔體底板之間的空間、以及開孔共同圍成。

10.根據權利要求1-9任一項所述的金屬有機物化學氣相沉積設備的熱吹掃結構，其特征在于，所述熱吹掃結構還包括控制進入所述進氣通路的吹掃氣體的流量調節裝置；

所述進氣通路和/或出氣通路中還設有勻氣結構。