[發(fā)明專利]3D功率模塊封裝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110166183.0 | 申請日: | 2011-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN102569286A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金泰勛;都載天;崔碩文 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 江娟;南毅寧 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 模塊 封裝 | ||
1.一種3D功率模塊封裝,該3D功率模塊封裝包括:
功率轉換單元,該功率轉換單元被封裝以包括熱量輻射基底、連接到所述熱量輻射基底的功率裝置、以及引線框;
控制單元,該控制單元被封裝以包括控制單元基底以及安裝在所述控制單元基底的上部的IC和控制裝置;以及
電連接單元,該電連接單元將被封裝的功率轉換單元與被封裝的控制單元電連接。
2.根據權利要求1所述的3D功率模塊封裝,其中所述熱量輻射基底是陽極氧化鋁基底。
3.根據權利要求1所述的3D功率模塊封裝,其中所述電連接單元由焊球或導電連接器形成。
4.根據權利要求1所述的3D功率模塊封裝,該3D功率模塊封裝進一步包括設置在所述功率轉換單元和所述控制單元之間的阻尼器。
5.根據權利要求1所述的3D功率模塊封裝,其中所述熱量輻射基底具有比所述控制單元基底更高的導熱性。
6.一種3D功率模塊封裝,該3D功率模塊封裝包括:
功率轉換單元,該功率轉換單元被封裝以包括熱量輻射基底、連接到所述熱量輻射基底的功率裝置、以及引線框;
控制單元,該控制單元被封裝以包括控制單元基底以及安裝在所述控制單元基底的上部的IC和控制裝置;以及
被設置在被封裝的功率轉換單元中的連接引腳以及被設置在所述控制單元中的連接插座;
其中所述連接引腳和所述連接插座被裝配成彼此電連接。
7.根據權利要求6所述的3D功率模塊封裝,其中所述熱量輻射基底是陽極氧化鋁基底。
8.根據權利要求6所述的3D功率模塊封裝,其中所述連接引腳和所述連接插座由銅制成。
9.根據權利要求6所述的3D功率模塊封裝,該3D功率模塊封裝進一步包括設置在所述功率轉換單元和所述控制單元之間的阻尼器。
10.根據權利要求6所述的3D功率模塊封裝,其中所述熱量輻射基底具有比所述控制單元基底更高的導熱性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





