[發明專利]存儲器寫輔助

有效

• 申請號: 201110166158.2
• 申請日: 2011-06-15
• 公開（公告）號: CN102385905A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 吳瑞仁;呂紹維;羅國鴻;李坤錫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種存儲器，包括：

存儲器單元；

與所述存儲器單元相連接的第一字線；

與所述存儲器單元相連接的第二字線；

與所述存儲器單元相連接的第一位線；

與所述存儲器單元相連接的第二位線；以及

寫輔助單元，

其中，當所述第一字線用于寫操作、所述第二字線用于讀操作、以及所述第一字線和所述第二字線同時生效時，所述寫輔助單元被配置為將處于寫操作中的所述第一位線的數據傳送給處于讀操作中的所述第二位線。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其中，所述寫輔助單元包括與所述第一位線相連接的第一下拉電路，以及與所述第二位線相連接的第二下拉電路。

3.根據權利要求2所述的存儲器，其中，所述第一下拉電路包括第一NMOS晶體管和反相器，其中，所述第一位線與所述反相器相連接，所述反相器與所述第一NMOS晶體管的柵極相連接，并且所述第一NMOS晶體管的源極接地。

4.根據權利要求3所述的存儲器，其中，所述第一下拉電路進一步包括：第二NMOS晶體管，其中，所述第二NMOS晶體管的源極與所述第一NMOS晶體管的漏極相連接，并且所述第二NMOS晶體管的源極與所述第二位線相連接。

5.根據權利要求2所述的存儲器，其中，進一步包括與所述存儲器相連接的第一位線條，其中，所述第二下拉電路包括第一NMOS晶體管和反相器，所述第一位線條與所述反相器相連接，所述反相器與所述第一NMOS晶體管的柵極相連接，并且所述第一NMOS晶體管的源極接地。

6.根據權利要求5所述的存儲器，其中，進一步包括第二位線條，其中，所述第二下拉電路進一步包括第二NMOS晶體管，所述第二NMOS晶體管的源極與所述第一NMOS晶體管的漏極相連接，并且所述第二NMOS晶體管的漏極與所述第二位線條相連接。

7.根據權利要求1所述的存儲器，其中，進一步包括字線檢測電路，用于檢測所述第一字線和所述第二字線同時生效的時間，以發送控制信號到所述寫輔助單元。

8.根據權利要求7所述的存儲器，其中，所述字線檢測電路包括NAND門和反相器，所述第一字線和所述第二字線與所述NAND門相連接。

9.一種方法，包括：

使與存儲器單元相連接的第一字線生效，用于進行寫操作；

使與所述存儲器單元相連接的第二字線生效，用于進行讀操作；

當所述第一字線和所述第二字線同時生效時，將與所述存儲器單元相連接的處于所述寫操作的第一位線的數據傳送到與所述存儲器單元相連接的處于所述讀操作的第二位線。

10.一種存儲器，包括：

存儲器單元；

與所述存儲器單元相連接的第一字線；

與所述存儲器單元相連接的第二字線；

與所述存儲器單元相連接的第一位線；

與所述存儲器單元相連接的第二位線；

寫輔助單元；以及

字線檢測電路，用于檢測所述第一字線和所述第二字線同時生效的時間，以發送控制信號給所述寫輔助單元，

其中，所述寫輔助單元包括與所述第一位線相連接的第一下拉電路和與所述第二位線相連接的第二下拉電路，當所述第一字線用于寫操作、所述第二字線用于讀操作、以及所述第一字線和所述第二字線同時生效時，所述寫輔助單元被配置為將處于寫操作中的所述第一位線的數據傳送給處于讀操作中的所述第二位線。