[發明專利]有機電致發光顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201110166047.1 | 申請日: | 2011-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN102299165A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發明(設計)人: | 吉永禎彥;肥后智之 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機電致發光顯示器,其包括:
下部電極,所述下部電極布置在基板上,并且所述下部電極分別與藍色的第一有機電致發光元件和任意其它顏色的第二有機電致發光元件相對應;
空穴注入/輸送層,所述空穴注入/輸送層布置在所述下部電極上,并且所述空穴注入/輸送層分別與所述第一有機電致發光元件和所述第二有機電致發光元件相對應,所述空穴注入/輸送層具有空穴注入特性和空穴輸送特性中的一種特性或兩種特性;
其它顏色的第二有機發光層,所述第二有機發光層布置在與所述第二有機電致發光元件相對應的所述空穴注入/輸送層上;
藍色的第一有機發光層,所述第一有機發光層布置在所述第二有機發光層和與所述第一有機電致發光元件相對應的所述空穴注入/輸送層的整個表面上;
電子注入/輸送層,所述電子注入/輸送層布置在所述第一有機發光層的整個表面上,所述電子注入/輸送層是由電子遷移率為1.0×10-6cm2/Vs以上且1.0×10-1cm2/Vs以下的含氮雜環化合物制成的并且具有電子注入特性和電子輸送特性中的一種特性或兩種特性;以及
上部電極,所述上部電極布置在所述電子注入/輸送層上。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器,其中,
所述電子注入/輸送層使用的所述含氮雜環化合物是由化學式(1)所表示的化合物:
其中,A1是:氫原子或鹵素原子;具有1~20個碳原子的烷基;具有6~60個碳原子的烴基,包括其中稠合有3~40個芳環的多環芳烴基團;或者含氮雜環基團或上述基團的衍生物;
B是單鍵、二價芳環基團或它的衍生物;
R1和R2中的各者是獨立的氫原子或鹵素原子、具有1~20個碳原子的烷基、具有6~60個碳原子的芳烴基團、含氮雜環基團或具有1~20個碳原子的烷氧基,或者是上述基團的衍生物。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器,其中,
所述電子注入/輸送層使用的所述含氮雜環化合物是由化學式(2)所表示的化合物:
其中,A2是其中稠合有2~5個芳環的n價基團,更加具體地,是其中稠合有3個芳環的、基于并苯的n價芳環基團或者它的衍生物;
R3至R8中的各者是獨立的氫原子或鹵素原子、或者是與A2和R9至R13中的任一個相鍵合的自由價;
R9至R13中的各者是獨立的氫原子、鹵素原子或與R3至R8中的任一個相鍵合的自由價;
n是2以上的整數,并且吡啶基苯基的數量n可以彼此相同也可以彼此不同。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示器,其中,
所述電子注入/輸送層使用的所述含氮雜環化合物是由化學式(3)所表示的化合物:
其中,A3是其中稠合有2~5個芳環的m價基團,更加具體地,是其中稠合有3個芳環的、基于并苯的m價芳香環基團或者它的衍生物;
R14至R18中的各者是獨立的氫原子或鹵素原子、或者是與A3和R19至R23中的任一個相鍵合的自由價;
R19至R23中的各者是獨立的氫原子、鹵素原子或與R14至R18中的任一個相鍵合的自由價;
m是2以上的整數,并且聯吡啶基團的數量m可以彼此相同也可以彼此不同。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的有機電致發光顯示器,還包括共用空穴輸送層,所述共用空穴輸送層布置于所述第二有機發光層和所述第一有機發光層之間以及與所述第一有機電致發光元件相對應的所述空穴注入/輸送層和所述第一有機發光層之間,所述共用空穴輸送層由低分子材料制成。
6.根據權利要求3所述的有機電致發光顯示器,其中,
所述第一有機發光層是由化學式(4)所表示的化合物制成的:
其中,R24至R29中的各者是獨立的氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、包含具有20個以下碳原子的羰基的基團、包含羰基酯基團的基團、烷基、烯基、烷氧基或這些基團的衍生物、包含具有30個以下碳原子的甲硅烷基的基團、包含芳基的基團、包含雜環基的基團、包含氨基的基團或這些基團的衍生物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





