[發明專利]支承體構造、處理容器構造及處理裝置

有效

• 申請號: 201110165910.1
• 申請日: 2011-06-15
• 公開（公告）號: CN102290359A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 淺利伸二;佐藤泉;兩角友一朗
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/67;H01L21/31
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

技術領域

本發明涉及用于支承半導體晶圓等被處理體的支承體構造、處理容器構造及處理裝置。

背景技術

通常，為了制造半導體集成電路，對由硅基板等構成的半導體晶圓進行成膜處理、蝕刻處理、氧化處理、擴散處理、改性處理、自然氧化膜的除去處理等各種處理。這些處理利用逐張處理晶圓的單片式的處理裝置、一次處理多張晶圓的分批式的處理裝置來進行。例如在利用專利文獻1等公開的立式的、所謂的分批式的處理裝置進行這些處理的情況下，首先，將半導體晶圓從能夠收容多張、例如2?5張半導體晶圓的晶圓盒移載到立式的晶圓舟皿中，并呈多層地將晶圓支承在該晶圓舟皿中。

該晶圓舟皿例如也取決于晶圓規格，但能夠載置30～150張左右的晶圓。在將上述晶圓舟皿從能夠排氣的處理容器的下方搬入(加載)到該處理容器內之后，將處理容器內維持為氣密狀態。然后，控制處理氣體的流量、工藝壓力、工藝溫度等各種工藝條件來實施規定的熱處理。在該熱處理中，例如以成膜處理為例，作為成膜處理的方法，公知有CVD(Chemical?Vapor?Deposition)法(專利文獻2)、ALD(Atomic?Layer?Deposition)法。

而且，出于提高電路元件的特性的目的，期望也降低半導體集成電路的制造工序中的熱過程，因此，即使不將晶圓暴露于那么高的溫度下，也能夠進行目標處理，因此，傾向于使用一邊間斷地供給原料氣體等一邊以原子級每1層～幾層地或者以分子級每1層～幾層地反復成膜的ALD法(專利文獻3、4等)。

專利文獻1：日本特開平6-275608號公報

專利文獻2：日本特開2004-006551號公報

專利文獻3：日本特開平6-45256號公報

專利文獻4：日本特開平11-87341號公報

發明內容

本發明的目的在于提供能夠抑制在支承被處理體的支承體構造的上下的兩端部側產生氣體的湍流來謀求改善所形成的薄膜的膜厚的面內均勻性和膜質的支承體構造、處理容器構造和處理裝置。

本發明是一種支承體構造，該支承體構造配置在供處理氣體從一側朝向另一側沿水平方向流動的處理容器構造內，用于支承多張被處理體，其特征在于，該支承體構造包括頂板部、底部、將頂板部和底部連結起來的多個支承支柱，在各支承支柱上，沿著其長度方向以規定的間距形成有用于支承被處理體的多個支承部，多個支承部中的最上層的支承部與頂板部之間的距離以及多個支承部中的最下層的支承部與底部之間的距離被設定為支承部之間的間距以下。

利用該構造，能夠抑制在處理容器構造的上端側和下端側產生氣體的湍流，結果，能夠防止膜厚的面內均勻性降低，并防止膜質降低。

本發明是一種處理容器構造，該處理容器構造供處理氣體從一側朝向另一側沿水平方向流動，用于收納要處理的多張被處理體，其特征在于，該處理容器構造包括：有頂的石英制的處理容器，其下端部開放，以利用支承體構造支承多張被處理體的狀態收納被處理體；噴嘴收納區域，其沿著處理容器的長度方向設置在該處理容器的一側，用于收納氣體噴嘴；狹縫狀的排氣口，其與噴嘴收納區域相對地沿著處理容器的長度方向設置在該處理容器的側壁，該排氣口的上端延伸至與支承體構造的上端相對應的位置以上的高度的位置，該排氣口的下端延伸至與支承體構造的下端相對應的位置以下的高度的位置。

利用該構造，沿水平方向流動的氣流在支承于支承體構造的被處理體之間的空間中不會改變方向，而保持原樣地自狹縫狀的排氣口被排出，因此，能夠抑制在處理容器構造的上端側和下端側產生氣體的湍流，結果，能夠防止膜厚的面內均勻性降低，并防止膜質降低。