[發明專利]一種具有大壓電常數的AlN薄膜無效
| 申請號： | 201110165775.0 | 申請日： | 2011-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN102242337A | 公開（公告）日： | 2011-11-16 |
| 發明（設計）人： | 潘峰;劉宏燕;曾飛;羅景庭;唐光盛 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 壓電 常數 aln 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種AlN薄膜，其特征在于：所述薄膜由V和AlN組成。
2.根據權利要求1所述的AlN薄膜，其特征在于：V的原子百分數為0-11.4％，但不為0，Al的原子百分數為38.6％-50％，余量為N。
3.根據權利要求1或2所述的AlN薄膜，其特征在于：所述AlN薄膜的厚度為800nm。
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