[發明專利]用于智能電能表的FLASH數據存儲方法無效
| 申請號: | 201110164891.0 | 申請日: | 2011-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN102339254A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 高宜華;劉崢嶸;郭援越;張喜春;王蕾 | 申請(專利權)人: | 杭州炬華科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人: | 王兵;黃美娟 |
| 地址: | 310030 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 智能 電能表 flash 數據 存儲 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于智能電能表的FLASH數據存儲方法。
技術背景
長期以來,電表內存儲負荷曲線等大容量的數據時,一直采用傳統的AT45DB161、AT45DB321等AT45DB系列的FLASH存儲芯片。該系列芯片內部有兩塊512字節的RAM區,單片機在對FLASH進行寫入操作時,先把要操作的FLASH頁內容整頁讀入FLASH內部的RAM中,單片機只在該RAM中修改幾個字節,其后,數據一直保存在FLASH的RAM中,直到換頁時,才把該頁FLASH的內容整頁擦除,把RAM內的數據寫入對應的FLASH頁。而不需要把該字節所在的FLASH頁(512字節)全部讀到單片機的RAM中,修改后再進行寫入。出于成本考慮,一般電表用的單片機內部RAM空間都相當緊張,已沒有足夠的RAM空間提供進行FLASH整頁的讀寫操作。AT45DB系列FLASH生產廠家單一,無法滿足大批量供貨,且價格相對與內部不含RAM的AT25DF系列FLASH高出整整一倍。AT25DF系列FLASH內部不含RAM,數據寫入時可以逐字節寫入,但數據擦除時為4KB字節一起擦除,顯然,單片機更加沒有足夠的空間把4K內容全部讀入單片機,修改后再度寫入,況且,FLASH的擦除壽命只有10萬次,如果為了修改幾個字節就整頁擦除,壽命肯定不夠。
發明內容
為克服現有技術的上述缺點,本發明提供了一種操作合理,既不多占用單片機的寶貴內存,又能有效滿足FLASH芯片擦除壽命的用于智能電能表的FLASH數據存儲方法。
用于智能電能表的FLASH數據存儲方法,包括以下步驟:
1)、計算待存儲的電表記錄或負荷曲線所需的存儲空間N*m,m為最小存儲單元;
2)、為待存儲的電表記錄或負荷曲線分配數據空間(N+1)*m;
3)、以先進先出的原則順序寫入數據:
(3.1)、存儲指針指向當前存儲單元,在初始狀態下,第一個存儲單元為當前存儲單元;
(3.2)、存儲指針指向下一個存儲單元,該下一個存儲單元成為當前存儲單元;刪除當前存儲單元中的數據,將待存儲數據寫入當前存儲單元、直到當前存儲單元的空間用盡;
(3.3)、判斷當前存儲單元是否最后一個存儲單元,若是,這將存儲指針指向第一個存儲單元,并刪除該第一個存儲單元的數據、將第一個存儲單元作為緩存單元;
若否,則重復執行步驟(3.2);
4)、讀取數據時,通過讀取指針反向查找以讀取數據:
(4.1)、以第N+1個存儲單元作為當前讀取單元;
(4.2)、讀取指針指向當前讀取單元;
(4.3)、判斷當前讀取單元是否需讀取數據存在的單元:若是,則獲取當前讀取單元的數據;若否,則將前一個存儲單元作為當前讀取單元,重復執行步驟(4.2)-(4.3)。
進一步,步驟1)中,采用AT45DB系列方法分配待存儲的電表記錄或負荷曲線所需的存儲空間。
本發明在進行電表的事件記錄或負荷曲線的存儲空間分配時,比所需要的有效空間多分配一頁,作為緩存使用,例如,按AT45DB系列方法分配空間時,會分配32頁,其每頁都是有效數據頁,而新的存儲方法會多分配一頁,作為緩存使用。要求數據寫入時,都是按照先進先出的順序存放,當存儲指針指到下一頁時,先把該頁內容全部刪除,不作保留,這樣33頁的內容就可能最多有一頁是無效的,可以滿足32頁有效數據空間的要求。然后在這新的一頁里順序寫入,直到寫到下一頁,先把下一頁內容全部刪除,以次類推。當第33頁寫完后指向第一頁時,首先把第一頁全部刪除,作為預備存儲區。讀取數據時,以當前指針反向查找,保證32頁內數據均為有效數據。這樣寫入數據時,只需要在當前指針指向的位置寫入準備寫入的數據即可,既不用每次寫入數據時把有效數據頁整頁擦除,也不需要把要寫入的該頁內容全部讀入單片機RAM保護起來,從而實現在不增加現有單片機負擔的情況下可以使用不帶RAM的AT25DF系列FLASH。
本發明具有以下優點:
1、不增加現有單片機的硬件負擔,不增加單片機部分的成本。
2、適用于AT25DF系列,AT25DF系列的價格遠低于AD45DB系列,能降低成本,提高產品競爭力,有利于開拓市場。
3.不含RAM的FLASH生產廠家眾多,大批量生產時,不會由于供貨問題形成瓶頸。
具體實施方式
下面具體說明本發明:
用于智能電能表的FLASH數據存儲方法,包括以下步驟:
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