[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110164723.1 | 申請日： | 2011-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN102231405A | 公開（公告）日： | 2011-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 萬青;黃晉;龔駿;竺立強 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 陳英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體 太陽能電池 pn 形成 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法，采用固態(tài)源擴散法將摻雜元素擴散到硅片中形成PN結(jié)，其特征是：首先將二氧化硅顆粒浸泡在含有摻雜元素的溶液中，浸泡后取出該二氧化硅顆粒進行干燥處理，使溶劑揮發(fā)，摻雜元素附著在二氧化硅顆粒表面形成固態(tài)擴散源；然后將該固態(tài)擴散源和硅片交替層疊平鋪在石英箱底；最后將石英箱放入高溫爐，在高溫下使固態(tài)擴散源中的摻雜元素在真空或一定氣氛下擴散到硅片中形成PN結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法，其特征是：所述二氧化硅顆粒的直徑為1μm～100μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法，其特征是：所述的擴散溫度為800℃～1100℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法，其特征是：所述的擴散時間為30分鐘～300分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法，其特征是：所述的硅片為P型硅片時，摻雜元素為磷元素，含有摻雜元素的溶液為磷酸水溶液或者五氧化二磷乙醇溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的晶體硅太陽能電池PN結(jié)的形成方法，其特征是：所述的硅片為N型硅片時，摻雜元素為硼元素，含有摻雜元素的溶液為硼酸水溶液或者氧化硼乙醇溶液。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
