[發(fā)明專(zhuān)利]低磁導(dǎo)率的人工電磁材料

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110163730.X
• 申請(qǐng)日: 2011-06-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103036032A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉若鵬;欒琳;寇超峰;蔣楠楠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q15/00
• 分類(lèi)號(hào): H01Q15/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，包括至少一個(gè)材料片層，每個(gè)材料片層包括片狀基板和附著在所述基板上的人造微結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)有至少一對(duì)，每對(duì)人造微結(jié)構(gòu)包括附著在所述基板正面的第一人造微結(jié)構(gòu)和附著在所述基板背面且正對(duì)著所述第一人造微結(jié)構(gòu)的第二人造微結(jié)構(gòu)，所述第一、第二人造微結(jié)構(gòu)為尺寸不相同的兩個(gè)開(kāi)口諧振環(huán)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述第一人造微結(jié)構(gòu)為近“凹”字形開(kāi)口諧振環(huán)，所述第二人造微結(jié)構(gòu)為近“口”字形開(kāi)口諧振環(huán)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述第一人造微結(jié)構(gòu)為近“凹”字形開(kāi)口諧振環(huán)的衍生結(jié)構(gòu)，所述第二人造微結(jié)構(gòu)為近“口”字形開(kāi)口諧振環(huán)的衍生結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述第二人造微結(jié)構(gòu)小于第一人造微結(jié)構(gòu)，且位于所述第一人造微結(jié)構(gòu)的垂直投影內(nèi)部。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述第二人造微結(jié)構(gòu)位于所述第一人造微結(jié)構(gòu)的垂直投影的正中間位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述第一人造微結(jié)構(gòu)、第二人造微結(jié)構(gòu)分別陣列分布在所述基板的正面、背面，且一一對(duì)應(yīng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述第一、第二人造微結(jié)構(gòu)的陣列的行間距相等，二者陣列的列間距也相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述行間距和列間距不大于所述人工電磁材料響應(yīng)的入射電磁波波長(zhǎng)的十分之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述人造微結(jié)構(gòu)由銅線(xiàn)或銀線(xiàn)制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率的人工電磁材料，其特征在于，所述基板由聚四氟乙烯、環(huán)氧樹(shù)脂或者陶瓷制成。