[發(fā)明專利]含轟擊桿結(jié)構(gòu)的電阻蒸發(fā)鍍膜機無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110160223.0 | 申請日: | 2011-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN102199750A | 公開(公告)日: | 2011-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡永強;張婷 | 申請(專利權(quán))人: | 胡永強 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26 |
| 代理公司: | 杭州華鼎知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33217 | 代理人: | 施少鋒 |
| 地址: | 322118 浙江省金華市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轟擊 結(jié)構(gòu) 電阻 蒸發(fā) 鍍膜 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電阻蒸發(fā)鍍膜機。
背景技術(shù)
在真空中制備膜層,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱為蒸發(fā)鍍膜。蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏。蒸發(fā)源有三種類型。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì),電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應(yīng)加熱源:用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。③電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比,具有較高的沉積速率,可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜,為沉積高純單晶膜層。
目前電阻蒸發(fā)鍍膜機制成的產(chǎn)品,無法較好地解決如下問題:無法清除工件表面存在雜質(zhì),影響產(chǎn)品的亮度;鍍層不夠牢固,容易脫離工件表面,產(chǎn)品質(zhì)量較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供含轟擊桿結(jié)構(gòu)的電阻蒸發(fā)鍍膜機,可以有效地解決現(xiàn)有鍍膜機制成的產(chǎn)品表面存在雜質(zhì)以及鍍層容易脫離的問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
含轟擊桿結(jié)構(gòu)的電阻蒸發(fā)鍍膜機,包括鍍膜機的機體,機體內(nèi)設(shè)有工件架底座,工件架底座上設(shè)有蒸發(fā)電極桿支架,蒸發(fā)電極桿支架之間連接有蒸發(fā)電極桿,其特征在于:機體內(nèi)設(shè)有至少一根離子轟擊桿。
優(yōu)選的,離子轟擊桿與蒸發(fā)電極桿之間平行。
進(jìn)一步,機體連接有管道,管道與機體相接的開口處設(shè)有過濾件,過濾件在朝向機體的一側(cè)設(shè)有格柵,格柵通過固定連接在管道上而將過濾件固定在開口處。
進(jìn)一步,管道內(nèi)設(shè)有一體的螺栓,螺栓穿過格柵與螺母連接,將格柵固定連接在管道中。
進(jìn)一步,螺母與格柵之間設(shè)有墊圈。
進(jìn)一步,蒸發(fā)電極桿支架上固定連接有下?lián)醢澹聯(lián)醢彘_口朝向機體的頂部。
本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案,具有以下有益效果:離子轟擊桿可以有效去除工件表面的雜質(zhì),起到清潔作用,保證產(chǎn)品的亮度;且轟擊后可以增加鍍層的附著力,使鍍層更加牢固;同時過濾器后可以有效過濾油氣,避免對工件造成污染,從而使產(chǎn)品更加完美,透亮,且過濾器方便拆裝、清洗及更換。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,制造簡便,成本低,實用性強。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明:
圖1為電阻蒸發(fā)鍍膜機(未畫出下?lián)醢?的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1中K向結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為過濾結(jié)構(gòu)的的示意圖;
圖4為過濾結(jié)構(gòu)各部件的分解示意圖。
具體實施方式
如圖1至圖4所示,為本發(fā)明含轟擊桿結(jié)構(gòu)的電阻蒸發(fā)鍍膜機,包括鍍膜機的機體10,機體10內(nèi)設(shè)有工件架底座1,工件架底座1上設(shè)有蒸發(fā)電極桿支架2,蒸發(fā)電極桿支架2之間連接有蒸發(fā)電極桿3,機體10內(nèi)設(shè)有至少一根離子轟擊桿5,離子轟擊桿5與蒸發(fā)電極桿3之間平行。機體10連接有管道11,管道11與機體10相接的開口處15設(shè)有過濾件12,過濾件12在朝向機體10的一側(cè)設(shè)有格柵13,格柵13通過固定連接在管道11上而將過濾件12固定在開口處15。管道11內(nèi)設(shè)有一體的螺栓,螺栓穿過格柵13與螺母14連接,將格柵13固定連接在管道11中,螺母14與格柵13之間設(shè)有墊圈16。蒸發(fā)電極桿3支架2上固定連接有下?lián)醢?,下?lián)醢?開口朝向機體10的頂部。
以上僅為本發(fā)明的具體實施例,但本發(fā)明的技術(shù)特征并不局限于此,任何以本發(fā)明為基礎(chǔ),為實現(xiàn)基本相同的技術(shù)效果,所作出地簡單變化、等同替換或者修飾等,皆涵蓋于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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