[發(fā)明專利]測(cè)試設(shè)備及測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110159126.X
• 申請(qǐng)日: 2011-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102313864A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉田敦;戶谷浩之;西澤徹;內(nèi)山誠(chéng)三
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種對(duì)被測(cè)試設(shè)備進(jìn)行高壓測(cè)試的測(cè)試設(shè)備及測(cè)試方法。

背景技術(shù)

存在一種測(cè)試方法，通過(guò)該方法對(duì)被測(cè)試設(shè)備施加較高的測(cè)試電壓，且對(duì)被測(cè)試設(shè)備進(jìn)行高壓測(cè)試。使用這種類型的測(cè)試方法，會(huì)在被測(cè)試設(shè)備的電極之間、被測(cè)試設(shè)備的電極與測(cè)試設(shè)備之間等發(fā)生介質(zhì)擊穿而引起放電，有可能導(dǎo)致被測(cè)試設(shè)備或測(cè)試設(shè)備損壞，還有可能導(dǎo)致對(duì)被測(cè)試設(shè)備的測(cè)試沒(méi)有正確地進(jìn)行。

因此，存在一種將被測(cè)試設(shè)備置于具有高絕緣性的氣體環(huán)境中，例如六氟化硫氣體(SF₆)，并在確保測(cè)試環(huán)境的介質(zhì)強(qiáng)度的情況下進(jìn)行高壓測(cè)試的技術(shù)。

然而，具有高絕緣性的氣體，尤其是六氟化硫氣體具有很高的全球變暖潛能值(GWP)，對(duì)全球環(huán)境造成的負(fù)擔(dān)很大。例如，六氟化硫的全球變暖潛能值為23900。

因此，考慮用其它方法來(lái)抑制放電，而不使用具有高絕緣性的氣體。例如，存在一種在放電路徑中設(shè)置一絕緣屏蔽物的技術(shù)。例如，存在一種具有絕緣屏蔽物的高壓測(cè)試設(shè)備，該絕緣屏蔽物與被檢測(cè)對(duì)象物的第一引線和第二引線之間的密封體表面相接觸(例如參照專利文獻(xiàn)JP-A-11-271387)。還有一種半導(dǎo)體晶片測(cè)量設(shè)備，其中，絕緣構(gòu)件介于一對(duì)與晶片相接觸的探針的前端之間，以此來(lái)與晶片接觸(例如參照專利文獻(xiàn)JP-A-2010-10306)

作為其它方法，還有一種在將被測(cè)試設(shè)備浸入到絕緣溶液中的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試的技術(shù)。例如，存在一種將半導(dǎo)體設(shè)備浸入到具有絕緣性的碳氟化合物溶液中來(lái)進(jìn)行耐壓測(cè)量的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)JP-A-6-120315)。還有一種通過(guò)用絕緣溶液至少將半導(dǎo)體襯底的表面覆蓋，并且在半導(dǎo)體襯底上的至少兩個(gè)位置之間施加電壓，來(lái)檢測(cè)半導(dǎo)體襯底的耐壓的技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)JP-A-2003-100819)。

然而，對(duì)于在放電路徑中設(shè)置絕緣屏蔽物的方法，需要有將絕緣屏蔽物設(shè)置在預(yù)定位置的結(jié)構(gòu)，這意味著測(cè)試設(shè)備有可能變復(fù)雜。

同樣對(duì)于在將被測(cè)試設(shè)備浸入到絕緣溶液中的狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試的方法，處理絕緣溶液意味著用來(lái)進(jìn)行測(cè)試的設(shè)備有可能變復(fù)雜。例如，當(dāng)使用低沸點(diǎn)的溶液例如碳氟化合物作為絕緣溶液時(shí)，需要有用來(lái)防止絕緣溶液在測(cè)試過(guò)程中蒸發(fā)的設(shè)備、或在干燥時(shí)用來(lái)排氣或回收氣體的設(shè)備。此外，即使使用沸點(diǎn)不低的溶液作為絕緣溶液，也仍需要用來(lái)清洗的設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于這些問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種實(shí)現(xiàn)高壓測(cè)試的測(cè)試設(shè)備及測(cè)試方法，同時(shí)減小對(duì)全球環(huán)境造成的負(fù)擔(dān)，又不會(huì)使測(cè)試設(shè)備或用于測(cè)試的設(shè)備復(fù)雜化。

為了達(dá)到上述目的，提供以下幾種測(cè)試設(shè)備及測(cè)試方法。

該測(cè)試設(shè)備包括：壓力容器；安裝臺(tái)，該安裝臺(tái)設(shè)置在壓力容器的內(nèi)部空間中，并在安裝臺(tái)上安裝有被測(cè)試設(shè)備；測(cè)試電極，這些測(cè)試電極設(shè)置在壓力容器的內(nèi)部空間中，向安裝在安裝臺(tái)上的被測(cè)試設(shè)備提供測(cè)試電壓；以及增壓?jiǎn)卧撛鰤簡(jiǎn)卧箟毫θ萜鞯膬?nèi)部空間中的氣壓升高，其中，在利用增壓?jiǎn)卧箟毫θ萜鞯膬?nèi)部空間中的氣壓升高的狀態(tài)下，從測(cè)試電極向安裝在安裝臺(tái)上的被測(cè)試設(shè)備提供測(cè)試電壓，并對(duì)被測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

此外，測(cè)試方法包括以下步驟：將被測(cè)試設(shè)備安裝到設(shè)置在壓力容器的內(nèi)部空間中的安裝臺(tái)上的步驟；使得壓力容器的內(nèi)部空間中的氣壓升高的步驟；以及在壓力容器的內(nèi)部空間中的氣壓升高的狀態(tài)下，從設(shè)置在內(nèi)部空間中的測(cè)試電極向安裝在安裝臺(tái)上的被測(cè)試設(shè)備提供測(cè)試電壓，且對(duì)被測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試的步驟。

根據(jù)本發(fā)明的測(cè)試設(shè)備及測(cè)試方法，能夠?qū)崿F(xiàn)高壓測(cè)試，同時(shí)減小對(duì)全球環(huán)境造成的負(fù)擔(dān)，又不會(huì)使測(cè)試設(shè)備或用于測(cè)試的設(shè)備復(fù)雜化。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的測(cè)試設(shè)備的一個(gè)例子的示圖；

圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的測(cè)試方法的一個(gè)例子的流程圖；

圖3A和圖3B是示出帕邢曲線的例子的示圖；

圖4是示出根據(jù)第二實(shí)施例的測(cè)試設(shè)備的一個(gè)例子的示圖；

圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的測(cè)試方法的一個(gè)例子的流程圖；

圖6是示出根據(jù)第二實(shí)施例的測(cè)試方法的另一個(gè)例子的流程圖；

圖7A和圖7B是示出根據(jù)第三實(shí)施例的介質(zhì)強(qiáng)度測(cè)試的一個(gè)例子的示圖；

圖8是示出根據(jù)第三實(shí)施例的介質(zhì)強(qiáng)度測(cè)試的另一個(gè)例子的示圖；

圖9A和圖9B是示出根據(jù)第四實(shí)施例的測(cè)試電路的一個(gè)例子的示圖及其時(shí)序圖；

圖10A和圖10B是示出根據(jù)第四實(shí)施例的測(cè)試電路的另一個(gè)例子的示圖及其時(shí)序圖；

圖11A和圖11B是示出根據(jù)第四實(shí)施例的測(cè)試電路的又一個(gè)例子的示圖及其時(shí)序圖；