[發(fā)明專利]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110158579.0 | 申請日: | 2011-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN102270565A | 公開(公告)日: | 2011-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田中善嗣;羽鳥一成;笠原稔大 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在真空搬送室連接用于處理基板的多個處理室的基板處理裝置。
背景技術(shù)
公知有例如,在FPD(Flat?Panel?Display)的制造工序中,在真空搬送室的周圍設(shè)置多個處理室,通過設(shè)置于搬送室內(nèi)的搬送臂,在真空搬送室與處理室之間進(jìn)行玻璃基板等基板的交接的基板處理裝置。作為用上述處理室對作為被處理體的基板進(jìn)行的處理,可以舉例出蝕刻、灰化(ashing)、成膜等處理。
例如,上述處理室由載置基板并且上部開口的容器主體和可開閉該容器主體的開口部的蓋體構(gòu)成,其在進(jìn)行處理室內(nèi)的維護(hù)、蓋體的維護(hù)之時,能夠?qū)⑸w體從容器主體取出。在蓋體上設(shè)置供給處理氣體的氣體噴頭,作為蓋體的維護(hù)作業(yè)的之一,有氣體噴頭的部件的交換等。
在專利文獻(xiàn)1中關(guān)于該蓋體的開閉動作提出了一種方案。在該結(jié)構(gòu)中,在利用設(shè)置于每個處理室的蓋體的開閉機(jī)構(gòu)使蓋體從容器主體上升后,使蓋體從容器主體滑動到偏離位置。接著,在使蓋體下降之后使蓋體反轉(zhuǎn)。在該手法中,通過使蓋體沿著與朝向處理室的基板的搬送方向正交的方向滑動,能夠減小蓋體的開閉動作需要的面積。
然而,由于FPD基板為大型基板,故處理室也形成為俯視形狀的一邊的大小、例如分別為3m、3.5m的大型的方筒型容器。因此,在針對每個處理室均需要開閉蓋體以及使蓋體反轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)與空間的結(jié)構(gòu)中,如果增加處理室,則難以確保反轉(zhuǎn)蓋體的空間,如果意欲確保空間,則擔(dān)心裝置進(jìn)一步大型化。另外,由于針對每個處理室都設(shè)置有蓋體的開閉機(jī)構(gòu),故如果處理室增加,則會引起裝置的制造成本上漲。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-67218號公報(參照圖1、圖19)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是基于上述的事情而形成的,其目的在于提供一種在真空搬送室連接用于處理基板的多個處理室的基板處理裝置中,抑制裝置的大型化、抑制占地面積的增大的技術(shù)。
由此,本發(fā)明的基板處理裝置的特征在于,具備:真空搬送室,其設(shè)置有基板搬送機(jī)構(gòu),并且被維持為真空環(huán)境;預(yù)備真空室,其與該真空搬送室的側(cè)面連接;用于處理基板的多個處理室,它們?yōu)橐耘c上述預(yù)備真空室在周向分離的方式與上述真空搬送室的側(cè)面連接且相互配置于周向,并且在各個容器主體上設(shè)置蓋體;引導(dǎo)部件,其被設(shè)置為沿著上述真空搬送室的周向延伸;移動體,其沿著該引導(dǎo)部件被引導(dǎo);蓋體保持機(jī)構(gòu),其以通過該移動體的移動經(jīng)過上述處理室的上方的方式設(shè)置于該移動體,保持蓋體并使該蓋體升降,以便相對于上述容器主體裝拆蓋體;驅(qū)動部,其用于使上述移動體沿著上述引導(dǎo)部件移動。
另外,也可以構(gòu)成為:在上述蓋體上設(shè)置有在橫向延伸、包括在下方形成有空間的卡止部分的被保持部,在上述蓋體保持機(jī)構(gòu)上設(shè)置有保持部,該保持部一邊沿著上述引導(dǎo)部件移動一邊進(jìn)入上述卡止部分的下方側(cè)的空間,之后上升并從下方側(cè)將上述卡止部分上推來抬起蓋體。
進(jìn)一步,上述引導(dǎo)部件也可以構(gòu)成為具備:內(nèi)側(cè)引導(dǎo)部件,其設(shè)置于上述真空搬送室上或者設(shè)置于上述真空搬送室與處理室之間;外側(cè)引導(dǎo)部件,其設(shè)置在相對于上述處理室而與上述真空搬送室相反的一側(cè)。
更進(jìn)一步,也可以構(gòu)成為:上述真空搬送室的俯視形狀形成為多邊形,在上述真空搬送室的側(cè)面當(dāng)中除了在上述真空搬送室的外方側(cè)用于確保維護(hù)區(qū)域的側(cè)面之外的其他側(cè)面上,分別連接上述預(yù)備真空室與處理室。此時,在上述維護(hù)區(qū)域,也可以設(shè)置有保持從上述蓋體保持機(jī)構(gòu)交接來的蓋體并使該蓋體反轉(zhuǎn)的蓋體反轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。更進(jìn)一步,也可以構(gòu)成為:上述真空搬送室具有六個側(cè)面,在上述側(cè)面連接一個上述預(yù)備真空室與四個處理室。
根據(jù)本發(fā)明,相對于沿著真空搬送室的周圍配置的多個處理室,使用于保持蓋體從而裝拆(開閉)的蓋體保持機(jī)構(gòu)共同化。并且,由于以能夠?qū)⒃撋w體保持機(jī)構(gòu)沿著處理室的排列在處理室的上方區(qū)域移動的方式構(gòu)成,故在蓋體的裝拆時不需要真空處理室的橫向的空間。因此,能夠抑制裝置的大型化,抑制設(shè)置面積(占地面積)的增大。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明所涉及的基板處理裝置的實施方式的立體圖。
圖2是表示上述基板處理裝置的內(nèi)部的橫剖俯視圖。
圖3是表示設(shè)置于上述基板處理裝置的處理室的一例的剖面圖。
圖4是表示上述基板處理裝置的一部分的俯視圖。
圖5是表示上述基板處理裝置的一部分的側(cè)視圖。
圖6是表示上述基板處理裝置的一部分的側(cè)視圖。
圖7是用于說明上述基板處理裝置的作用的側(cè)視圖。
圖8是用于說明上述基板處理裝置的作用的側(cè)視圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





