[發(fā)明專利]Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的水浴制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110157583.5 | 申請日： | 2011-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN102275980A | 公開（公告）日： | 2011-12-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李亮;曹萌;裴本花;沈悅;王林軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海大學(xué) |
| 主分類號： | C01G19/00 | 分類號： | C01G19/00;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cu sub znsns cdsns 納米 薄膜 水浴 制備 方法 | ||
1.一種Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的制備方法，其特征在于具有以下的制備過程和步驟：
a.?首先用去離子水配制一定摩爾比濃度的硫酸銅、氯化鋅或氯化鎘、氯化亞錫、硫代乙酰胺的混合溶液；攪拌均勻后加入一定量的乙二胺四乙酸二鈉和脲溶液，分別作為絡(luò)合劑和緩沖劑；然后將用酒精、丙酮、去離子水超聲清洗干凈的玻璃垂直懸于燒杯中；向燒杯中滴加稀鹽酸溶液調(diào)節(jié)pH值，使溶液pH處于2.0~4.0之間；將密封好的燒杯放于水浴鍋中加熱至850C；在450轉(zhuǎn)/分鐘攪拌速度下反應(yīng)100~200分鐘；反應(yīng)完畢后，將生長有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的氣氛中5000C退火1h，最終得到高質(zhì)量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜；
???制備過程中各原料配比為：
???CuSO4：ZnCl2：SnCl2：C2H5NS=（0.5~1）：（0.25~0.5）：（0.25~0.5）：1；
???CuSO4：CdCl2：SnCl2：C2H5NS=（0.5~1）：（0.25~0.5）：（0.25~0.5）：1。
2.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4納米晶薄膜的制備方法，其特征在于：所述的反應(yīng)物前軀體硫酸銅可以用氯化銅、醋酸銅、氯化亞銅或者乙酰丙酮酸銅來代替。
3.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的制備方法，其特征在于：所述的反應(yīng)物前軀體氯化鋅可以用醋酸鋅、油酸鋅、乙酰丙酮酸鋅或者硬脂酸鋅來代替。
4.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的制備方法，其特征在于：所述的反應(yīng)物前軀體氯化鎘可以用醋酸鎘、硫酸鎘、油酸鎘或者乙酰丙酮酸鎘來代替。
5.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的制備方法，其特征在于：所述的反應(yīng)物前軀體氯化亞錫可以用四氯化錫、二溴乙酰丙酮酸錫來代替。
6.根據(jù)權(quán)利1要求所述的一種Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4納米晶薄膜的制備方法，其特征在于：所述的反應(yīng)物前軀體硫代乙酰胺可以用硫代硫酸鈉來代替。
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