[發(fā)明專利]發(fā)光二極管與其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110157579.9
• 申請(qǐng)日: 2011-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN102299215A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳達(dá)軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 協(xié)鑫光電科技（張家港）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;姜精斌

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

一個(gè)發(fā)出光線的芯片，其具有一個(gè)第一半導(dǎo)體材料層及一個(gè)第二半導(dǎo)體材料層，且一側(cè)為出光側(cè)，另一側(cè)為底側(cè)；

一個(gè)平臺(tái)凹區(qū)，形成在所述芯片上，且自出光側(cè)延伸朝向底側(cè)；

熒光粉材料，填置于所述平臺(tái)凹區(qū)內(nèi)且受芯片所發(fā)出的光線激發(fā)而發(fā)出色光，進(jìn)而與芯片所發(fā)出的光線產(chǎn)生混合。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第一半導(dǎo)體材料層為P型GaN半導(dǎo)體材料層，所述第二半導(dǎo)體材料層為N型GaN半導(dǎo)體材料層。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：還包含一個(gè)第一電極與一個(gè)第二電極，其中所述第一電極形成在所述第一半導(dǎo)體材料層上，且電性相連所述第一半導(dǎo)體材料層，以及位于所述平臺(tái)凹區(qū)內(nèi)；所述第二電極，其形成在所述第二半導(dǎo)體材料層上，且電性相連所述第二半導(dǎo)體材料層，以及位于所述平臺(tái)凹區(qū)內(nèi)。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：還包含二條導(dǎo)線，是分別電性連接所述第一電極及所述第二電極。

5.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括：

步驟a，在一襯底上藉外延方式生長外延層；

步驟b，藉半導(dǎo)體制程在外延層上作出多個(gè)芯片結(jié)構(gòu)體；且再以蝕刻方式于每一個(gè)芯片結(jié)構(gòu)體上制作出一個(gè)平臺(tái)凹區(qū)及二個(gè)電極；

步驟c，以切割制程對(duì)每一個(gè)芯片結(jié)構(gòu)體進(jìn)行切割以獲取獨(dú)立的芯片；

步驟d，對(duì)每一個(gè)芯片上的二個(gè)電極進(jìn)行打線以分別連接導(dǎo)線；

步驟e，將熒光粉材填置于已連接有導(dǎo)線的芯片的平臺(tái)凹區(qū)內(nèi)。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于：步驟e中所述熒光粉材料是覆蓋二個(gè)電極及固定二條導(dǎo)線。