[發明專利]一種用于硅薄膜電池陷光結構研究的化學氣相沉積設備有效
| 申請號: | 201110156698.2 | 申請日: | 2011-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN102220565A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發明(設計)人: | 陳新亮;趙穎;張曉丹;任慧志;張德坤;魏長春;張建軍;耿新華 | 申請(專利權)人: | 南開大學 |
| 主分類號: | C23C16/24 | 分類號: | C23C16/24;C23C16/44 |
| 代理公司: | 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300071*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 薄膜 電池 結構 研究 化學 沉積 設備 | ||
1.一種用于硅薄膜電池陷光結構研究的化學氣相沉積設備,其特征在于:包括鍍膜裝置和氣體管路部分,氣體管路部分包括O2/CO2氣管路、Ar氣攜帶H2O氣管路、B2H6氣體管路和Ar氣攜帶DEZn氣管路,鍍膜裝置為由鍍膜室和裝片室構成的箱體式密封容器,鍍膜室和裝片室之間設有用來分隔或接通的閘板閥,鍍膜室內設有襯底、加熱器和氣盒并上下間隔排列,襯底用于放置待鍍膜的樣品,用于加熱襯底的加熱器通過導線與箱體外的電源連接,氣盒為上面設有篩孔的封閉盒體,氣盒通過管道分別與四條氣體管路連接,鍍膜室的頂部通過管道與真空泵組抽氣管道連接并設有控制蝶閥和真空閘板閥,鍍膜室的底部通過管道與真空泵組抽氣管道連接;裝片室內設有層式樣品架,樣品架的頂層與鍍膜室內的襯底位于同一平面上,裝片室的側面設有樣品推動桿,樣品推拉桿與樣品架的頂層位于同一平面上用于將樣品架上的待鍍膜樣品推到襯底上,裝片室的頂部設有升降機構并通過升降桿與層式樣品架連接,升降機構的升降桿和樣品推動桿與箱體結合處均設有真空密封組件,裝片室的底部通過管道與真空泵組抽氣管道連接并設有通斷控制的閘板閥;O2/CO2氣管路和Ar氣攜帶H2O氣管路為兩條并聯的氣體管路,?O2/CO2氣管路包括O2/CO2氣進口管、進口閥、流量計和出口閥并通過管道串聯連接后進入鍍膜室的頂部,流量計的進、出口通過管道并聯有氣動閥,Ar氣攜帶H2O氣管路包括Ar氣進口管、進口閥、流量計、水密封儲罐、針閥和出口閥并通過管道串聯連接后進入鍍膜室內的氣盒,其中Ar氣管路進入水密封儲罐的進口管伸入水密封儲罐的液相中,出口管從水密封儲罐的氣相引出并設有壓力表,流量計的進、出口通過管道并聯有氣動閥,上述兩條氣體管路在兩個流量計出口管道之間設有連接管道并設有氣動閥;B2H6氣體管路和Ar氣攜帶DEZn氣管路為兩條并聯的氣體管路,?B2H6氣體管路包括B2H6氣進口管、進口閥、流量計和出口閥并通過管道串聯連接后與進入鍍膜室內氣盒的管道相接,流量計的進、出口通過管道并聯有氣動閥,Ar氣攜帶DEZn氣管路包括Ar氣進口管、進口閥、流量計、DEZn密封儲罐、針閥和出口閥并通過管道串聯連接后在針閥后與上述同一條進入鍍膜室內氣盒的管道相接,其中Ar氣管路進入DEZn密封儲罐的進口管伸入DEZn密封儲罐的液相中,出口管從DEZn密封儲罐的氣相引出并設有壓力表,流量計的進、出口通過管道并聯有氣動閥,在上述兩條氣體管路的并聯處通過管道與真空泵抽氣管道連接并設有控制蝶閥。
2.根據權利要求1所述用于硅薄膜電池陷光結構研究的化學氣相沉積設備,其特征在于:所述鍍膜室內氣盒上面篩孔的孔徑為1.0mm-2.0mm,孔間距為3.0mm-20.0mm。
3.根據權利要求1所述用于硅薄膜電池陷光結構研究的化學氣相沉積設備,其特征在于:所述裝片室內的層式樣品架為四層。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





