[發明專利]為進一步處理保護硫化鎘的器件及方法

有效

• 申請號: 201110156160.1
• 申請日: 2011-04-29
• 公開（公告）號: CN102237448A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發明（設計）人: J·A·德雷頓;R·E·德馬雷
• 申請（專利權）人: 初星太陽能公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C14/06;H01L31/0352
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 柯廣華;朱海煜

1.一種為進一步處理而保護硫化鎘層18的方法，所述方法包括：

在濺射壓力從硫化鎘靶將硫化鎘層18濺射到襯底12上；以及

在所述硫化鎘層18上直接濺射蓋層19，而不破壞所述濺射壓力的真空。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述蓋層19從碲化鎘靶直接濺射到所述硫化鎘層18上，以具有它的主軸的基本垂直朝向。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中，所述濺射壓力是約10mTorr到約150mTorr。

4.如前面任一權利要求所述的方法，其中，在低于所述硫化鎘層18的升華溫度的濺射溫度來濺射所述蓋層19。

5.如前面任一權利要求所述的方法，其中，將所述蓋層19濺射到約10nm到約150nm的厚度。

6.一種用于制造基于碲化鎘的薄膜光伏器件10的方法，所述方法包括：

在襯底12上沉積硫化鎘層18；

在所述硫化鎘層18上直接沉積蓋層19，其中所述蓋層19包括碲化鎘；

加熱所述襯底12，以從所述硫化鎘層18升華所述蓋層19的至少一部分；以及

此后，在所述硫化鎘層18上沉積碲化鎘層20。

7.如權利要求6所述的方法，其中，在將所述硫化鎘層18暴露于空氣之前將所述蓋層19沉積到所述硫化鎘層18上。

8.如權利要求6或7所述的方法，其中，完全升華所述蓋層19，以暴露所述硫化鎘層18，使得所述碲化鎘層20直接沉積在所述硫化鎘層18上。

9.如權利要求6或7所述的方法，其中，升華所述蓋層19，以在所述硫化鎘層18和所述碲化鎘層20之間留下所述蓋層19的一部分。

10.如權利要求6-9的任一項所述的方法，其中，在10mTorr到約150mTorr的濺射壓力，從硫化鎘靶將所述硫化鎘層濺射到所述襯底上，并且在10mTorr到約150mTorr的濺射壓力，從碲化鎘靶將所述蓋層直接濺射到所述硫化鎘層上，以及其中將所述蓋層直接濺射到所述硫化鎘層上，而不破壞10mTorr到約150mTorr的所述濺射壓力。

11.如權利要求6-10的任一項所述的方法，其中，所述蓋層被沉積到約10nm到約150nm的厚度。

12.如權利要求6-11的任一項所述的方法，其中，從碲化鎘靶濺射所述蓋層，以具有它的主軸的基本垂直的朝向。

13.如權利要求6-12的任一項所述的方法，其中，加熱所述襯底到約250℃到約650℃的沉積溫度，以升華所述蓋層。

14.一種用于形成基于碲化鎘的薄膜光伏器件10的中間襯底，所述中間襯底包括：

襯底12；

所述襯底12上的透明傳導氧化層14；

所述透明傳導氧化層14上的硫化鎘層18；

直接在所述硫化鎘層18上的蓋層19，其中所述蓋層19具有約10nm到約150nm的厚度，以及其中所述蓋層19包括碲化鎘。

15.如權利要求14所述的中間襯底，其中，所述蓋層包括碲化鎘且從碲化鎘靶被濺射，以具有它的主軸的基本垂直的朝向。