[發明專利]用于TFT干刻工藝中的界面層處理方法無效
| 申請號： | 201110154075.1 | 申請日： | 2011-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN102820224A | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發明（設計）人： | 張其國;于濤;郭曉東;申劍鋒 | 申請（專利權）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分類號： | H01L21/3213 | 分類號： | H01L21/3213;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 tft 刻工 中的 界面 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對半導體a-Si膜層和金屬膜層之間的界面層預處理工藝的改善方法，其特征在于，將RF功率由3200w提高為4000w～5000w，腔體壓力由12Pa調整為6～9Pa。
2.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述RF功率優選地為：4000W。
3.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述RF功率優選地為：4500W。
4.?根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述RF功率優選地為：5000W。
5.?根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔體壓力優選地為：6Pa。
6.?根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔體壓力優選地為：7Pa。
7.?根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔體壓力優選地為：8Pa。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述腔體壓力優選地為：9Pa。
9.?根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，所述混合氣體包括100標準毫升每分鐘的SF6、500標準毫升每分鐘的He、800標準毫升每分鐘的O2。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
