[發明專利]一種芯片中局部溫度控制的實現方法

有效

• 申請號: 201110153886.X
• 申請日: 2011-06-09
• 公開（公告）號: CN102819278A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 章曉文
• 申請（專利權）人: 工業和信息化部電子第五研究所
• 主分類號: G05D23/20
• 分類號: G05D23/20
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 程躍華;何傳鋒

1.一種芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，利用多晶加熱板、測溫電阻以及電連接線形成測試結構，測溫電阻鋪在鋪在多晶加熱板上并通過熱傳導的方式感受多晶加熱板產生的溫度場，被測器件放置于多晶加熱板的中心，電連接線分別與多晶加熱板、被測器件電連接，使電流流過多晶加熱板時產生的焦耳熱抬升位于中心的被測器件溫度，當達到熱平衡后，根據測溫電阻的電阻值變化量來確定溫度值。

2.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，設置四個PAD與測溫電阻相連接，利用四線法測量提高電阻值的測量精度。

3.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，通過電阻值的變化量除以溫度系數得到溫度的變化值。

4.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，所述多晶加熱板的長度為250μm，寬為50μm，中間開孔的尺寸為20μm，寬為17.5μm。

5.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，所述測溫電阻的寬度為2μm，長度為800μm，并采用折線方式減少占用的芯片面積。

6.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，所述電連接線與多晶加熱板連接的兩端分別放置200個接觸孔以實現良好的電連接。

7.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，溫度值的控制、測溫電阻值的大小與溫度的關系如下式：

R(T_test)＝R(T_ref)[1+TCR(T_ref)×(T_test-T_ref)]式中，T_test是電流作用下要求達到的測試線溫度，單位為攝氏度，R(T_test)則是該溫度下的電阻值。TCR(T_ref)是溫度系數，單位為℃^-1，R(T_ref)是室溫下的電阻值，單位為歐姆，而T_ref是測試前的室溫，單位為攝氏度。

8.根據權利要求1所述的芯片中局部溫度控制的實現方法，其特征在于，當進行封裝級器件的可靠性評價時，被測器件的鍵合引線用金絲球焊的方式形成以提高測量過程中的可靠性。