[發明專利]一種在石墨或石墨烯表面加工納米尺度圖形的方法有效
| 申請號： | 201110153728.4 | 申請日： | 2011-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN102285631A | 公開（公告）日： | 2011-12-21 |
| 發明（設計）人： | 趙華波;李佩朔;魏芹芹;魏子鈞;張朝暉;傅云義 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 蘇愛華 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 表面 加工 納米 尺度 圖形 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在石墨或石墨烯表面加工納米尺度圖形的方法，其步驟包括：
1)將石墨或石墨烯解離露出新鮮的表面并放置于原子力顯微鏡樣品臺上，石墨或石墨烯一端通過導線接地；
2)利用原子力顯微鏡掃描石墨或石墨烯表面并選取待刻蝕的區域；
3)將原子力顯微鏡的針尖逼近石墨或石墨烯表面，設置掃描范圍，進入掃描狀態，同時在針尖上加上負電壓，當針尖處于多針尖狀態時，刻蝕石墨或石墨烯表面形成溝槽，從而得到所設計的加工圖形。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中所述電壓的絕對值大于7V。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)中刻蝕時針尖移動速度小于20μm/s。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)中將所述石墨或石墨烯轉移到其它導電基底或絕緣材料上。
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