[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110153617.3
• 申請日: 2011-06-03
• 公開（公告）號: CN102760790A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭裕鈞;林義凱;廖振良;張志雄
• 申請（專利權(quán)）人: 宇通光能股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/05
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;張燕華

1.一種薄膜太陽能電池的制造方法，適于匹配多個并聯(lián)的光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊的電壓，其特征在于，該制造方法包括：

在一第一基板上形成一第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括n個串聯(lián)的第一光電轉(zhuǎn)換單元；

在一第二基板上形成一第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括m個串聯(lián)的第二光電轉(zhuǎn)換單元；

膠合該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊與該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊；以及

電性連接該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊與該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，使得該些串聯(lián)的第一光電轉(zhuǎn)換單元并聯(lián)該些串聯(lián)的第二光電轉(zhuǎn)換單元；

其中，每一該第一光電轉(zhuǎn)換單元的開路電壓為Vn，每一該第二光電轉(zhuǎn)換單元的開路電壓為Vm，m*Vn/n*Vm的比值介于0.9～1.1之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊的步驟包括：

于該第一基板上形成一第一電極層；

根據(jù)一第一切割線激光切割該第一電極層；

于切割后的該第一電極層上形成一第一光電轉(zhuǎn)換層；

根據(jù)一第二切割線激光切割該第一光電轉(zhuǎn)換層；

于切割后的該第一光電轉(zhuǎn)換層上形成一第二電極層；以及

根據(jù)一第三切割線激光切割該第二電極層與該第一光電轉(zhuǎn)換層；

其中，該第一切割線分隔該第一電極層，該第二切割線分隔該些第一光電轉(zhuǎn)換單元，該第三切割線分隔該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，以形成n個第一切割區(qū)塊，每一該第一切割區(qū)塊包括該第一光電轉(zhuǎn)換單元。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，形成該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊的步驟包括：

于該第二基板上形成一第三電極層；

根據(jù)一第四切割線激光切割該第三電極層；

于切割后的該第三電極層上形成一第二光電轉(zhuǎn)換層；

根據(jù)一第五切割線激光切割該第二光電轉(zhuǎn)換層；

于切割后的該第二光電轉(zhuǎn)換層上形成一第四電極層；以及

根據(jù)一第六切割線激光切割該第四電極層與該第二光電轉(zhuǎn)換層；

其中，該第四切割線分隔該第三電極層，該第五切割線分隔該些第二光電轉(zhuǎn)換單元，該第六切割線分隔該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，以形成m個第二切割區(qū)塊，每一該第二切割區(qū)塊包括該第二光電轉(zhuǎn)換單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第一光電轉(zhuǎn)換層與該第二光電轉(zhuǎn)換層的材料，其中之一為非晶硅，其中的另一為微晶硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池的制造方法，其特征在于，該第一電極層、該第二電極層、該第三電極層與該第四電極層的材料選自透明導(dǎo)電氧化物或金屬所組成的群組。

6.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，配置于該第一基板上，且該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括n個串聯(lián)的第一光電轉(zhuǎn)換單元；

一聚合物，配置于該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊上；

一第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊，配置于該聚合物上，且該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括m個串聯(lián)的第二光電轉(zhuǎn)換單元；以及

一第二基板，配置于該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊上；

其中，該些串聯(lián)的第一光電轉(zhuǎn)換單元并聯(lián)于該些串聯(lián)的第二光電轉(zhuǎn)換單元，每一該第一光電轉(zhuǎn)換單元的開路電壓為Vn，每一該第二光電轉(zhuǎn)換單元的開路電壓為Vm，m*Vn/n*Vm的比值介于0.9～1.1之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括：

一第一電極層，鄰近于該第一基板；

一第二電極層，鄰近于該聚合物；以及

一第一光電轉(zhuǎn)換層，夾置于該第一電極層與該第二電極層之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，該第一光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括n個第一切割區(qū)塊，每一該第一切割區(qū)塊包括該第一光電轉(zhuǎn)換單元、部分的該第一電極層與該第二電極層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括：

一第三電極層，鄰近于該第二基板；

一第四電極層，鄰近于該聚合物；以及

一第二光電轉(zhuǎn)換層，夾置于該第三電極層與該第四電極層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，該第二光電轉(zhuǎn)換區(qū)塊包括m個第二切割區(qū)塊，每一該第二切割區(qū)塊包括該第二光電轉(zhuǎn)換單元、部分的該第三電極層與該第四電極層。