[發(fā)明專利]用于三維金屬互連技術(shù)的一般化的器件組裝的使用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110153204.5
• 申請(qǐng)日: 2011-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102270609A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·帕瓦蘭德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馬克西姆綜合產(chǎn)品公司
• 主分類號(hào): H01L21/98
• 分類號(hào): H01L21/98;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種組裝方法，包括：

a.將多個(gè)經(jīng)單個(gè)化的器件元件組裝到承載襯底上；

b.在第二襯底上制造多個(gè)裸芯片；

c.堆疊所述第二襯底和所述承載襯底，使得所述多個(gè)裸芯片面對(duì)所述多個(gè)器件元件；以及

d.將所述多個(gè)器件元件鍵合到所述多個(gè)裸芯片，使得將至少一個(gè)器件元件鍵合到每個(gè)裸芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括移除所述承載襯底，從而留下鍵合到所述多個(gè)裸芯片的所述多個(gè)器件元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)經(jīng)單個(gè)化的器件元件包括多個(gè)經(jīng)單個(gè)化的裸芯片，所述多個(gè)經(jīng)單個(gè)化的裸芯片使用與用來(lái)制造所述第二襯底上的所述多個(gè)裸芯片的技術(shù)不同的技術(shù)制造。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)經(jīng)單個(gè)化的器件元件包括多個(gè)無(wú)源元件。

5.一種組裝方法，包括：

a.將多個(gè)經(jīng)單個(gè)化的第一裸芯片組裝到承載襯底上；

b.在第二襯底上制造多個(gè)第二裸芯片；

c.堆疊所述第二襯底和所述承載襯底，使得所述多個(gè)第二裸芯片面對(duì)所述多個(gè)第一裸芯片；以及

d.將所述多個(gè)第一裸芯片鍵合到所述多個(gè)第二裸芯片，使得將至少一個(gè)第一裸芯片在操作上鍵合到每個(gè)第二裸芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中將至少一個(gè)第一裸芯片在操作上鍵合到每個(gè)第二裸芯片形成它們之間的金屬互連。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，進(jìn)一步包括移除所述承載襯底，從而留下鍵合到所述多個(gè)第二裸芯片的所述多個(gè)第一裸芯片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述多個(gè)第一裸芯片中的每個(gè)裸芯片具有金屬化的背表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括在所述多個(gè)第一裸芯片之上添加帽結(jié)構(gòu)，并且將所述帽結(jié)構(gòu)耦合到所述第二襯底，其中所述帽結(jié)構(gòu)包括多個(gè)凹陷，每個(gè)凹陷與相應(yīng)的一個(gè)第一裸芯片對(duì)準(zhǔn)并且具有提供所述凹陷的表面和所述第一裸芯片之間的空隙的形狀和尺寸。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括在所述多個(gè)第一裸芯片之上添加帽結(jié)構(gòu)，并且將所述帽結(jié)構(gòu)耦合到所述第二襯底，其中所述帽結(jié)構(gòu)包括多個(gè)凹陷，每個(gè)凹陷與相應(yīng)的一個(gè)第一裸芯片對(duì)準(zhǔn)并且具有與所述第一裸芯片匹配的形狀和尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括在所述多個(gè)鍵合的第一裸芯片和所述第二襯底之上施加絕緣層。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二襯底的直徑等于所述承載襯底的直徑。

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述承載襯底包括在所述承載襯底的頂表面上形成的多個(gè)凹陷，其中每個(gè)凹陷的形狀與每個(gè)經(jīng)單個(gè)化的第一裸芯片的形狀互補(bǔ)，使得每個(gè)經(jīng)單個(gè)化的第一裸芯片適合在每個(gè)凹陷內(nèi)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中每個(gè)凹陷的形狀和每個(gè)經(jīng)單個(gè)化的第一裸芯片的形狀被配置成使得每個(gè)經(jīng)單個(gè)化的第一裸芯片根據(jù)特定定向適合在每個(gè)凹陷內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中耦合到所述第二襯底的所述承載襯底在所述多個(gè)第一裸芯片之上形成帽。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述承載襯底中的所述多個(gè)凹陷中的每個(gè)凹陷具有形成在其中的一個(gè)或者多個(gè)層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中至少一個(gè)層包括絕緣層。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中至少一個(gè)層包括金屬化層。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述多個(gè)第一裸芯片中的一個(gè)或者多個(gè)裸芯片包括在第一裸芯片面對(duì)所述凹陷的背側(cè)上形成的一個(gè)或者多個(gè)層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中至少一個(gè)層包括絕緣層。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中至少一個(gè)層包括金屬化層。