[發明專利]一種有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法無效
| 申請號： | 201110151982.0 | 申請日： | 2011-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN102222780A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發明（設計）人： | 李劉中;丁宏哲;呂學興;陳佳榆 | 申請（專利權）人： | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/56 | 分類號： | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 曾紅 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 有源 矩陣 有機 發光二極管 器件 制造 方法 | ||
1.一種有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步驟：
a在基板上連續沉積ITO膜與第一金屬層，通過第一構圖工藝形成柵極與陽極的圖形；
b接著連續沉積柵絕緣層、半導體材料層及保護膜材料層，通過第二構圖工藝形成半導體層與溝道保護層；
c通過第三構圖工藝暴露出像素區的所述第一金屬層，同時對所述半導體層與溝道保護層進行構圖；
d繼續沉積第二金屬層以形成源/漏極；
e通過第四構圖工藝暴露出所述陽極；以及
f接著沉積平坦層，通過第五構圖工藝暴露出所述陽極。
2.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟a中同時形成存儲電容的下電極。
3.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟d中同時形成所述存儲電容的上電極。
4.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，所述第一構圖工藝可以采用光刻蝕或鋁酸與草酸刻蝕。
5.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，所述第二構圖工藝可以同時采用光刻蝕、干刻蝕及草酸刻蝕，也可以只采用干刻蝕。
6.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，所述第三構圖工藝可以采用光刻蝕或干刻蝕。
7.如權利要求6所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，所述第四構圖工藝與所述第五構圖工藝可以采用濕刻蝕。
8.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，所述步驟e與f之間更包括沉積鈍化層的步驟。
9.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層可以由金屬鋁、鉬或它們的組合制成。
10.如權利要求1所述的有源矩陣型有機發光二極管器件的制造方法，其特征在于，可以同時形成金屬接觸區及焊盤區的圖形。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
