[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110151947.9
• 申請日: 2011-06-01
• 公開（公告）號: CN102290441A
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發明（設計）人: 舛岡富士雄;中村廣記;新井紳太郎;工藤智彥;崔敬仁;李伊索;姜禹;李翔;陳智賢;沈南勝;布里日捏茲索夫·維拉地米爾;布德哈拉久·卡維沙·戴維;星拿伐布
• 申請（專利權）人: 日本優尼山帝斯電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/786;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種半導體器件，其特征在于，具備：

第1平面狀半導體層；

第1柱狀半導體層，形成于所述第1平面狀半導體層上；

第1高濃度半導體層，形成于所述第1柱狀半導體層的下部區域與所述第1平面狀半導體層；

第2高濃度半導體層，與所述第1高濃度半導體層相同導電型，且形成于所述第1柱狀半導體層的上部區域；

第1柵極絕緣膜，以包圍所述第1柱狀半導體層的方式形成于所述第1高濃度半導體層與所述第2高濃度半導體層之間的所述第1柱狀半導體層的側壁；

第1金屬膜，以包圍所述第1柵極絕緣膜的方式形成于所述第1柵極絕緣膜上；

第1半導體膜，以包圍所述第1金屬膜的方式形成于所述第1金屬膜上；

第1柵極電極，由所述第1金屬膜與所述第1半導體膜所構成；

第1絕緣膜，形成于所述第1柵極電極與所述第1平面狀半導體層之間；

第2絕緣膜，與所述第1柵極電極的上面及所述第1柱狀半導體層的上部側壁相接，且以包圍所述第1柱狀半導體層的上部區域的方式形成為邊壁狀；

第3絕緣膜，與所述第1柵極電極及所述第1絕緣膜的側壁相接，且以包圍所述第1柵極電極與所述第1絕緣膜的方式形成為邊壁狀；

第1接觸部，形成于所述第1柱狀半導體層上；

第2接觸部，形成于所述第1平面狀半導體層上；及

第3接觸部，形成于所述第1柵極電極上；

所述第1柵極絕緣膜與所述第1金屬膜由所述第1柱狀半導體層、所述第1半導體膜、所述第1絕緣膜及所述第2絕緣膜所覆蓋。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第2絕緣膜的厚度比所述第1柵極絕緣膜的厚度與所述第1金屬膜的厚度的總和還厚。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，具有形成于所述第1高濃度半導體層的上部表面的第1金屬半導體化合物。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，從所述第1柱狀半導體層的中心至所述第1平面狀半導體層的端的長度，比從所述第1柱狀半導體層的中心至側壁的長度、所述第1柵極絕緣膜的厚度、所述第1柵極電極的厚度及所述第3絕緣膜的厚度的總和還大。

5.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，具有形成于所述第1柵極電極上面的第3金屬半導體化合物。

6.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，具有形成于所述第2高濃度半導體層的上面的第2金屬半導體化合物。