[發明專利]一種高K介質埋層的絕緣體上材料制備方法

有效

• 申請號: 201110151803.3
• 申請日: 2011-06-08
• 公開（公告）號: CN102820209B
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 張苗;張波;薛忠營;王曦
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所;上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、提供一層襯底，在所述襯底上沉積一層多晶或非晶的高K介質材料；

步驟二、在所述高K介質材料上沉積一層金屬材料；

步驟三、進行退火工藝，使所述高K介質材料的微觀結構由沉積態轉變為單晶形 態；

步驟四、采用選擇性腐蝕方法去除所述金屬材料；

步驟五、在去除所述金屬材料的高K介質材料表面沉積半導體材料，從而形成以 高K介質材料為埋層的絕緣體上材料。

2.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 一所述襯底為玻璃片、單晶Si片。

3.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 一采用電子束蒸發、分子束沉積或者原子層沉積的方法在所述襯底上沉積高K介質材 料。

4.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 一所述高K介質材料為HfO₂，LaLuO₃。

5.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 一所述高K介質材料的厚度為5-30nm。

6.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 二所述的金屬材料為Al，Ni，Ag，Au，Pt。

7.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 二所述的金屬材料的厚度為1-20nm。

8.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 三退火工藝的退火溫度為300-800℃，時間為30秒-2小時。

9.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 五所述半導體材料為Si、Ge。

10.根據權利要求1所述的高K介質埋層的絕緣體上材料的制備方法，其特征在于：步驟 五所述半導體材料的厚度為5-30nm。