[發(fā)明專利]一種硅膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110151798.6 | 申請日： | 2011-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN102817082A | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王榮華;朱琳;荊二榮;陳思奇 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤華晶微電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/00 | 分類號： | C30B33/00;C30B33/10;C30B25/02;C30B29/06;C23F1/02;C23F1/40;C23F1/24;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;高為 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市國*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 方法 | ||
1.一種硅膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供第一單晶硅襯底，對所述第一單晶硅襯底構(gòu)圖刻蝕形成穿通所述第一單晶硅襯底的通腔；
提供第二單晶硅襯底，在所述第二單晶硅襯底上外延生長硅薄膜層；
將帶有通腔的所述第一單晶硅襯底在所述硅薄膜層上與所述第二單晶硅襯底鍵合；以及
將所述第二單晶硅襯底置于第二刻蝕溶液中實現(xiàn)選擇性地刻蝕全部所述第二單晶硅襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一單晶硅襯底的上表面和下表面為（100）晶面，在刻蝕形成通腔的過程中，采用KOH溶液對所述第一單晶硅襯底的（100）晶面進行刻蝕。
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述通腔沿第一單晶硅襯底的<110>晶向刻蝕形成。
4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，刻蝕形成所述通腔的步驟包括：
在所述第一單晶硅襯底的上表面和下表面分別沉積掩膜層；
刻蝕所述掩膜層以形成暴露所述第一單晶硅襯底的窗口；以及
在所述KOH溶液中刻蝕以形成所述通腔；
其中，所述上表面的掩膜層的窗口與所述下表面的掩膜層的窗口的形狀相同并且基本相互對準。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜層為Si3N4。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，設(shè)置所述第一單晶硅襯底的電阻率和所述硅薄膜層的電阻率大于或等于所述第二單晶硅襯底的1000倍，以實現(xiàn)所述選擇性地刻蝕。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二刻蝕溶液為CH3COOH、HNO3和HF的混合溶液。
8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述混合溶液是CH3COOH、質(zhì)量百分比濃度為97%的HNO3溶液以及質(zhì)量百分比濃度為49%的HF溶液以體積比為8：3：1的比例混合形成。
9.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第一單晶硅襯底的電阻率和所述硅薄膜層的電阻率大于或等于4Ω·cm,?所述第一單晶硅襯底的電阻率小于或等于0.004Ω·cm。
10.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅薄膜層的厚度基本等于所述硅膜的厚度。
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