[發明專利]一種采用勢壘高度漸變量子壘的LED結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201110151410.2
• 申請日: 2011-06-07
• 公開（公告）號: CN102820395A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 王成新;王強;徐現剛;李樹強;曲爽
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 許德山

1.一種采用勢壘高度漸變量子壘的LED結構，包括襯底層上依次是成核層、緩沖層、n型導電層、多量子阱層和p型導電層，在n型導電層上和p型導電層上分別是歐姆接觸層；其特征在于，所述的多量子阱層是交替生長的厚度為2-20nm的Al_xGa_1-x-yIn_yN阱和厚度為10-30nm的Al_uGa_1-u-vIn_vN壘，重復周期2-30個；其中，0＜x≤u＜1，0＜v≤y＜1；自n側至p側x和y的取值恒定不變，u的取值按等差數列逐漸降低，v的取值按等差數列逐漸增加，u的取值大于等于x，v的取值小于等于y。

2.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，根據LED結構所出射波長λ，所述的Al_xGa_1-x-yIn_yN阱中和所述的Al_uGa_1-u-vIn_vN壘中的x、y、u、v的取值如下表1：

表1

??λ??x??y??u(min)??u(max)??v(min)??v(max)??460nm??0.05??0.173??0.1??0.2??0.11??0.15??500nm??0.15??0.275??0.2??0.3??0.21??0.25??550nm??0.1??0.302??0.15??0.25??0.25??0.29

所述的u(min)和v(min)分別表示在多量子阱層中，u和v取值的最小值；所述的u(max)和v(max)分別表示在多量子阱層中，u和v取值的最大值。

3.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述的襯底層為藍寶石襯底或碳化硅襯底之一。