[發明專利]一種氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法無效
| 申請號: | 201110150153.0 | 申請日: | 2011-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN102214734A | 公開(公告)日: | 2011-10-12 |
| 發明(設計)人: | 曹丙強;魏浩銘;鞏海波;徐紅燕 | 申請(專利權)人: | 濟南大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人: | 宋玉霞 |
| 地址: | 250022 山東省濟南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化鋅 氧化亞銅 薄膜 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,首先通過電化學沉積在透明導電玻璃上沉積一層氧化鋅納米材料;以制備出的氧化鋅納米材料為基底,沉積一層氧化亞銅薄膜;再通過離子濺射在透明導電玻璃和氧化亞銅上制備金電極,從而獲得太陽能電池。
2.如權利要求1所述的氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,其具體步驟如下:
(1)將FTO透明導電玻璃切成1×4cm的基片,接著用光漂洗滌劑超聲清洗30-60?min,再用酒精超聲清洗30-60?min,最后用蒸餾水超聲清洗10-30?min,然后放入烘干箱干燥以備用;?
(2)將干燥的基片放入電解槽中,施加0.1-1?mA/cm2的恒電流,在60-90℃下沉積0.5-5h,所采用電解液是濃度為0.03-0.5?mol/l硝酸鋅溶液,制備得到氧化鋅納米材料;
(3)將得到的氧化鋅納米材料放入電解槽,電流密度為0.1-0.3?mA/cm2,在40-80℃下沉積時間30-90分鐘,得到一層氧化亞銅薄膜,制備出納米氧化鋅/氧化亞銅異質結,采用的電解液為硫酸銅與乳酸的混合液,硫酸銅濃度0.2-0.4?mol/l,乳酸濃度為1-5?mol/l;
(4)以帶孔的鋅金屬片為掩膜,通過離子濺射在氧化亞銅薄膜上制備金電極。
3.一種氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,首先通過電化學沉積在透明導電玻璃上沉積一層氧化鋅薄膜;以制備出的氧化鋅薄膜為基底,沉積一層氧化亞銅薄膜;再通過離子濺射在透明導電玻璃和氧化亞銅上制備金電極,從而獲得太陽能電池。
4.如權利要求3所述的氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,其具體步驟如下:
(1)將FTO透明導電玻璃切成1×4cm的基片,接著用光漂洗滌劑超聲清洗30-60?min,再用酒精超聲清洗30-60?min,最后用蒸餾水超聲清洗10-30?min,然后放入烘干箱干燥以備用;?
(2)將干燥的基片放入電解槽中,施加0.1-1?mA/cm2的恒電流,在60-90℃下沉積0.5-5h,所采用電解液是濃度為0.3-0.5?mol/l硝酸鋅溶液,制備得到氧化鋅薄膜;
(3)將得到的氧化鋅薄膜放入電解槽,電流密度為0.1-0.3?mA/cm2,在40-80℃下沉積時間30-90分鐘,得到一層氧化亞銅薄膜,制備出氧化鋅/氧化亞銅薄膜異質結,采用的電解液為硫酸銅與乳酸的混合液,硫酸銅濃度0.2-0.4?mol/l,乳酸濃度為1-5?mol/l;
(4)以帶孔的鋅金屬片為掩膜,通過離子濺射在氧化亞銅薄膜上制備金電極。
5.一種氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,首先通過電化學沉積在透明導電玻璃上沉積一層氧化鋅納米線;以制備出的氧化鋅納米線為基底,沉積一層氧化亞銅薄膜;再通過離子濺射在透明導電玻璃和氧化亞銅上制備金電極,從而獲得具有納米線/薄膜結構的太陽能電池。
6.如權利要求5所述的氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,其具體步驟如下:
(1)將FTO透明導電玻璃切成1×4cm的基片,接著用光漂洗滌劑超聲清洗30-60?min,再用酒精超聲清洗30-60?min,最后用蒸餾水超聲清洗10-30?min,然后放入烘干箱干燥以備用;?
(2)將干燥的基片放入電解槽中,施加0.1-1?mA/cm2的恒電流,在60-90℃下沉積0.5-5h,所采用電解液是濃度為0.03-0.05?mol/l硝酸鋅溶液,制備得到氧化鋅納米線;
(3)將得到的氧化鋅納米線放入電解槽,電流密度為0.1-0.3?mA/cm2,在40-80℃下沉積時間30-90分鐘,得到一層氧化亞銅薄膜,制備出氧化鋅/氧化亞銅薄膜異質結,采用的電解液為硫酸銅與乳酸的混合液,硫酸銅濃度0.2-0.4?mol/l,乳酸濃度為1-5?mol/l;
(4)以帶孔的鋅金屬片為掩膜,通過離子濺射在氧化亞銅薄膜上制備金電極。
7.如權利要求5所述的氧化鋅/氧化亞銅薄膜太陽能電池的制備方法,其特征在于:將得到的氧化鋅納米線通過選擇性化學腐蝕制備氧化鋅納米管;然后以制備出的氧化鋅納米管為基底,沉積一層氧化亞銅薄膜;再通過離子濺射在透明導電玻璃和氧化亞銅上制備金電極,從而獲得太陽能電池。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





