[發明專利]應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED無效
| 申請號： | 201110147591.1 | 申請日： | 2011-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN102214753A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發明（設計）人： | 張逸韻;汪煉成;郭恩卿;孫波;伊曉燕;王國宏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用 石墨 薄膜 電流 擴展 氮化 垂直 結構 led | ||
1.一種應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，包括：
一p型金屬電極，該p型金屬電極包括一金屬支撐襯底，以及制作在金屬支撐襯底上的金屬反射鏡；
一空穴注入層，該空穴注入層制作在P型金屬電極的金屬反射鏡上；
一電子阻擋層，該電子阻擋層制作在空穴注入層上；
一發光層，該發光層制作在電子阻擋層上；
一電子限制層，該電子限制層制作在發光層上；
一電子注入層，該電子注入層制作在電子限制層上；
一電流擴展層，該電流擴展層制作在電子限制層上；
兩個n型金屬電極，制作在電流擴展層上，覆蓋一部分電流擴展層。
2.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述p型金屬電極的金屬支撐襯底的材料為銅、鎳、銅鎳合金、銅鎢合金或鎳鈷合金。
3.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述p型金屬電極的金屬反射鏡的材料為鎳/銀/鉑/金、鎳/銀/金、鎳/銀/鎳/金、鈦/鋁/鈦/金、鈦/銀/鈦/金、鋁/銀/金或鋁/鈦/金中的一種材料。
4.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述空穴注入層選自于摻鎂的p型氮化鎵材料。
5.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述電子阻擋層選自于AlxGa1-xN材料，其中0≤x≤1。
6.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述發光層包括m個氮化銦鎵量子阱與m+1個氮化鎵量子勢壘，每個氮化銦鎵量子阱上下兩側都有一個氮化鎵量子勢壘，其中m≥1。
7.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述電子限制層選自于AlzGa1-zN材料，其中0＜z＜1。
8.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述電子注入層選自于摻硅的n型氮化鎵材料。
9.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述電流擴展層選自于單層或多層石墨烯薄膜材料。
10.如權利要求1所述的應用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED，其中所述n型金屬電極選自于包括鎳/金、鎳/銀/金、鎳/銀/鎳/金、鎳/銀/鉑/金、鈦/金、鈦/銀/金、鈦/鋁/鈦/金、鈦/銀/鈦/金、鋁/鈦/金、鉻/鉑/金或鉻/銀/金中的一種材料。
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