[發明專利]在半導體管芯周圍形成EMI屏蔽層的半導體器件和方法

有效

• 申請號: 201110147365.3
• 申請日: 2011-06-02
• 公開（公告）號: CN102270588A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: R.A.帕蓋拉;F.卡森;尹勝煜
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/552;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元;蔣駿

1.?一種制作半導體器件的方法，包含：

提供被界面層覆蓋的臨時載體；

在界面層上安裝多個第一半導體管芯；

在第一半導體管芯和臨時載體上沉積密封劑；

在密封劑上形成平坦的屏蔽層；

形成穿過平坦的屏蔽層和密封劑下至界面層的溝道；

在溝道中沉積電連接到平坦的屏蔽層的導電材料；

去除界面層和臨時載體；

在導電材料、密封劑和第一半導體管芯上形成互連結構，導電材料電連接到互連結構；以及

分割導電材料以分離第一半導體管芯。

2.?根據權利要求1所述的方法，其中導電材料延伸到互連結構中。

3.?根據權利要求1所述的方法，其中導電材料終止在該密封劑和互連結構之間的邊界處。

4.?根據權利要求1所述的方法，還包括通過互連結構而電連接導電材料到接地點。

5.?根據權利要求1所述的方法，還包括提供并排的第一半導體管芯，每個管芯被平坦的屏蔽層覆蓋且被導電材料環繞。

6.?根據權利要求1所述的方法，還包括在第一半導體管芯上安裝第二半導體管芯，其中屏蔽層覆蓋第二半導體管芯且導電材料環繞第一和第二半導體管芯。

7.?根據權利要求1所述的方法，還包括在第一半導體管芯上安裝第二半導體管芯，其中屏蔽層覆蓋第二半導體管芯且導電材料僅環繞第二半導體管芯。

8.?一種制作半導體器件的方法，包含：

提供載體；

在載體上安裝第一半導體管芯；

在第一半導體管芯和載體上沉積第一密封劑；

在第一密封劑上形成屏蔽層；

形成穿過屏蔽層和第一密封劑下至載體的溝道；

在溝道中沉積電連接到屏蔽層的導電材料；

去除載體；以及

在導電材料、第一密封劑和第一半導體管芯上形成第一互連結構，導電材料電連接到第一互連結構。

9.?根據權利要求8所述的方法，其中導電材料延伸到第一互連結構中。

10.?根據權利要求8所述的方法，其中導電材料終止在第一密封劑和第一互連結構之間的邊界處。

11.?根據權利要求8所述的方法，還包括通過第一互連結構電連接導電材料到接地點。

12.?根據權利要求8所述的方法，還包括：

形成穿過第一密封劑的多個導電通孔；

在第一密封劑上形成第二互連結構；

在第二互連結構上安裝第二半導體管芯；

在第二半導體管芯上沉積第二密封劑；以及

在第二密封劑上形成屏蔽層，其中導電材料環繞第一和第二半導體管芯。

13.?根據權利要求8所述的方法，還包括：

形成穿過第一密封劑的多個導電通孔；

在第一密封劑上形成第二互連結構；

在第一半導體管芯上安裝第二半導體管芯；

在第二半導體管芯上沉積第二密封劑；以及

在第二密封劑上形成屏蔽層，其中導電材料僅環繞第二半導體管芯。

14.?一種制作半導體器件的方法，包含：

提供第一半導體管芯；

在第一半導體管芯上沉積第一密封劑；

在第一密封劑上形成屏蔽層；

形成穿過屏蔽層和第一密封劑的溝道；

在溝道中沉積電連接到屏蔽層的導電材料；以及

在導電材料、第一密封劑和第一半導體管芯上形成第一互連結構。

15.?根據權利要求14所述的方法，其中導電材料電連接到第一互連結構。

16.?根據權利要求14所述的方法，其中導電材料延伸到第一互連結構中。

17.?根據權利要求14所述的方法，其中導電材料終止在第一密封劑和第一互連結構的邊界處。

18.?根據權利要求14所述的方法，還包括通過第一互連結構而電連接導電材料到接地點。