[發明專利]超純流體無效
| 申請號: | 201110147159.2 | 申請日: | 2005-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN102229816A | 公開(公告)日: | 2011-11-02 |
| 發明(設計)人: | T·A·格里布肖;S·漢茨爾;S·J·麥卡錫;S·西爾弗伯格;V·斯瓦魯普 | 申請(專利權)人: | 埃克森美孚化學專利公司 |
| 主分類號: | C10G65/08 | 分類號: | C10G65/08;C10G65/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 楊立芳 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流體 | ||
1.將烴流體原料流氫化的方法,包括對選自ACN(常壓粗石腦油)、HVN(重質直餾石腦油)、煤油、柴油、LGO(輕瓦斯油)、PGO(工藝瓦斯油)、在化學過程中產生的低聚物、從GTL過程衍生的原料流和它們的混合物中的第一原料流進行加氫處理和/或加氫精制的步驟,以獲得包括具有至少5℃的沸程并具有至少500ppm的芳族化合物含量的C5-C19烴流體的第二原料流,讓所述第二原料流與芳族化合物飽和催化劑在合氫的處理氣體存在下和有效的芳族化合物飽和條件下進行接觸,以制備包含具有至少5℃的沸程并包含低于100ppm芳族化合物的烴流體的蒸餾餾分產品;其中所述芳族化合物飽和條件包括低于1000psig的氫氣分壓和低于232℃的溫度;并且其中所述芳族化合物飽和催化劑包括以1∶2到1∶4的重量比擔載于MCM-41上的Pt和Pd的氫化-脫氫組分和包含氧化鋁的粘結劑材料,并且其中載體材料和粘結劑材料的重量比是從80∶20到50∶50;并且
回收蒸餾餾分產品。
2.根據權利要求1的方法,其中所述蒸餾餾分產品為主要包括己烷的烴流體,其進一步的特征在于具有根據UV光譜分析法測得的低于1ppm的芳族化合物含量,根據ASTM?D-5453無法檢測到的水平的硫,和沒有可由FID檢測到的含氧化合物。
3.根據權利要求1的方法,其中所述蒸餾餾分產品為主要包括庚烷的烴流體,其進一步的特征在于具有根據ASTM?D-5453無法檢測到的水平的硫和沒有可由FID檢測到的含氧化合物。
4.根據權利要求1的方法,其中所述產品的沸程與所述原料流的沸程相同。
5.根據權利要求1的方法,其中所述產品沒有從所述原料流異構化。
6.根據權利要求1的方法,其中所述產品不具有因為與所述氫化-脫氫組分接觸所導致的異構化或裂化而產生的可檢測到的物質。
7.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述產品具有低于10ppm的芳族化合物含量。
8.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述產品包括低于10ppm的含氧化合物。
9.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述產品包括低于5ppm的含氧化合物。
10.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述產品不具有由FID可檢測到的水平的含氧化合物。
11.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述產品不包括由ASTMD-5453可檢測到的水平的硫。
12.根據權利要求1的方法,其中所述產品是從60-150℃的并具有5到10個碳原子的蒸餾切割餾分。
13.權利要求12的方法,其中所述產品具有6到8個碳原子。
14.根據權利要求1的方法,其中所述產品是150-315℃的,具有5-40℃的沸程的,并具有9到19個碳原子的蒸餾切割餾分。
15.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述有效的芳族化合物飽和條件包括300psig到1000psig的氫氣分壓。
16.根據上述權利要求任一項的方法,其中所述芳族化合物飽和條件包括180-220℃的溫度。
17.根據權利要求1的方法,包括與NiMo或Ni接觸而加氫處理和/或加氫精制所述第一原料流以獲得所述第二原料流的步驟,所述第二原料流的進一步特征在于具有1ppm或更低的硫含量。
18.由權利要求1的方法制備的烴流體,其具有至少5℃的沸程并主要包括己烷,其進一步的特征在于具有根據UV光譜分析法測得的低于1ppm的芳族化合物含量,根據ASTM?D-5453無法檢測到的水平的硫,和沒有可由FID檢測到的含氧化合物。
19.由權利要求1的方法制備的烴流體,其具有至少5℃的沸程并主要包括庚烷,其進一步的特征在于不具有根據ASTM?D-5453可檢測到的水平的硫和由FID可檢測到的含氧化合物。
20.由權利要求13或14的方法制備的烴流體,其中所述產物進一步的特征在于具有根據UV光譜分析法測得的低于1ppm的芳族化合物含量,根據ASTM?D-5453無法檢測到的水平的硫,和沒有可由FID檢測到的含氧化合物。
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