[發(fā)明專利]兩個連接配對件低溫壓力燒結(jié)連接的方法及其制造的系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110147129.1 | 申請日: | 2011-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN102315138A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 約瑟夫·菲爾藤巴赫爾;卡爾海因茨·奧古斯丁;烏爾里希·扎格鮑姆;克里斯蒂安·約布爾;湯姆斯·施托克邁爾 | 申請(專利權(quán))人: | 賽米控電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/492 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 車文;樊衛(wèi)民 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 兩個 連接 配對 低溫 壓力 燒結(jié) 方法 及其 制造 系統(tǒng) | ||
1.用于制造具有第一連接配對件(10)和第二連接配對件(50)的系統(tǒng)的方法,所述第一連接配對件(10)和所述第二連接配對件(50)借助低溫壓力燒結(jié)連接而相互材料配合地連接,其中,所述連接配對件(10、50)各自具有要與相應(yīng)另外那個連接配對件相連接的接觸面(16、56),其中,在所述接觸面(16、56)之間布置有燒結(jié)金屬層(34),
其特征在于以下順次進行的步驟,其中,步驟d)和f)能夠依次實施或者選擇性地實施:
a)準(zhǔn)備具有第一接觸面(16)的第一連接配對件(10);
b)將由如下燒結(jié)膏(40)構(gòu)成的層涂覆到所述第一接觸面(16)上,所述燒結(jié)膏由燒結(jié)金屬顆粒和溶劑構(gòu)成;
c)對所述燒結(jié)膏(30)加溫(22),并且在形成燒結(jié)層(32)的情況下,排出溶劑;
d)將液體(40)涂覆在所述燒結(jié)層(32)上;
e)以如下方式布置所述第二連接配對件(50),即,所述第二連接配對件(50)的第二接觸面(56)放置于所述燒結(jié)層(32)上;
f)將粘附劑(60、62)布置在所述燒結(jié)層(32)及所述第二連接配對件(50)的邊緣區(qū)域中,同時,所述粘附劑(60、62)與所述第一連接配對件(10)相接觸,用以使所述連接配對件(10、50)彼此固定;
g)進一步對所述系統(tǒng)加溫和加壓,用以構(gòu)造在所述連接配對件(10、50)之間的材料配合的低溫壓力燒結(jié)連接,其中,所述燒結(jié)層(32)轉(zhuǎn)變?yōu)榫|(zhì)的燒結(jié)金屬層(34)。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述液體(40)設(shè)計為極性液體,優(yōu)選為諸如甘油的短鏈的多元醇。
3.按照權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述粘附劑(60、62)設(shè)計為硅酮,優(yōu)選為熱交聯(lián)式的硅酮。
4.按照權(quán)利要求1所述的方法,其中,將所述粘附劑(60、62)涂覆在所述邊緣區(qū)域中至少兩個部位上,或者環(huán)繞式地涂覆。
5.按照權(quán)利要求1所述的方法,其中,直接在實施步驟b)前,對所述第一接觸面(16)和直接圍繞所述第一接觸面(16)的區(qū)域施以超聲波(20)。
6.按照權(quán)利要求1所述的方法,其中,直接在實施步驟b)前或者實施步驟b)期間,對所述第一接觸面(16)和直接圍繞所述第一接觸面(16)的區(qū)域施以超聲波(20)。
7.系統(tǒng),根據(jù)按前述權(quán)利要求之一所述的方法構(gòu)造而成,所述系統(tǒng)具有第一連接配對件(10)和第二連接配對件(50),所述第一連接配對件(10)和所述第二連接配對件(50)借助低溫壓力燒結(jié)連接而彼此材料配合地連接,其中,所述連接配對件(10、50)各自具有要與相應(yīng)另外那個連接配對件相連接的接觸面(16、56),其中,在這些所述接觸面(16、56)之間布置有燒結(jié)金屬(34),并且所述燒結(jié)金屬(34)構(gòu)成為均質(zhì)的層,并且僅具有直徑最大為10μm的砂眼。
8.按照權(quán)利要求7所述的系統(tǒng),其中,在所述燒結(jié)金屬層(34)的邊緣區(qū)域中設(shè)置有粘附劑(60、62),所述粘附劑(60、62)與兩個所述連接配對件(10、50)保持接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





