[發明專利]橢圓環形腔半導體激光器無效
| 申請號： | 201110146856.6 | 申請日： | 2011-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN102810813A | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 晏長嶺;徐莉;田春雨;賈霄 | 申請（專利權）人： | 長春理工大學 |
| 主分類號： | H01S5/10 | 分類號： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 長春科宇專利代理有限責任公司 22001 | 代理人： | 馬守忠 |
| 地址： | 130022 *** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 橢圓 環形 半導體激光器 | ||
1.一種橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，其由順次連接的均為橢圓環形的上電極(11)、上波導層(12)、有源增益層(13)、下波導層(14)、襯底(15)和下電極(16)構成；所述的橢圓環形腔半導體激光器的下電極(16)由焊料焊接到銅熱沉上；橢圓環形腔的內邊界(17)和外邊界(18)形成環；橢圓環形腔的外邊界(18)的短軸一個頂點上有一個切口(19)，切口(19)從上電極(11)一直到下波導層(14)。
2.如權利要求1所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的橢圓環形腔的外邊界(18)的半長軸為RY1，外邊界(18)的半短軸為Rx1，半長軸和半短軸的比值RY1/Rx1為1.05-1.5。
3.如權利要求1所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的切口(19)為半橢圓型，切口(19)的深度范圍為0.1-2.0倍發射波長，切口(19)的寬度為0.1-2.0倍發射波長。
4.如權利要求1所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的橢圓環形腔的內邊界(17)為光滑的橢圓或圓形，橢圓環形腔的內邊界(17)和外邊界(18)的對稱中心重合。
5.如權利要求4所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的橢圓環形腔的內邊界(17)和外邊界(18)所形成的環的寬度范圍為發射波長的2倍以上。
6.如權利要求4所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的帶切口(19)的橢圓環形腔的腔體用光刻掩模濕法刻蝕或反應離子刻蝕方法形成。
7.如權利要求1所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的橢圓環形腔半導體激光器的橢圓環形腔的內邊界(17)是圓形。
8.如權利要求1、2或3所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的橢圓環形腔半導體激光器在橢圓環形腔的內邊界(17)內部填充絕緣導熱材料。
9.如權利要求8所述的橢圓環形腔半導體激光器，其特征在于，所述的絕緣導熱材料用氮化鋁。
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