[發明專利]離子光學器件的制備方法有效
| 申請號： | 201110146810.4 | 申請日： | 2011-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN102810441A | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 穆輝;蔣公羽;丁力;李建良;孫文劍 | 申請（專利權）人： | 島津分析技術研發(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01J9/02 | 分類號： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 201201 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 光學 器件 制備 方法 | ||
1.一種離子光學器件的制備方法，包括以下步驟：
使用適于磨削加工工藝的硬質材料制作一個基底，該基底至少包含一個平面表面，并包含至少一層絕緣材料；
在所述平面表面上切割出一個或多個直線形溝槽，以在被所述直線形溝槽分離的平面表面形成多個分立的離子光學電極區域；以及
在所述平面表面以外的其他基底表面及基底內部導通孔內制作導電引線，以提供各離子光學電極上所需要的電壓。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，至少一部分所述直線形溝槽的深寬比大于或等于1。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割出一個或多個直線形溝槽的步驟的切割方法包括：
用高速旋轉的旋輪式金剛砂刀片與所述平面表面發生磨削，同時刀片相對基底，沿平行于所述平面表面并垂直于刀片旋轉軸的方向做直線運動。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述旋輪式金剛砂刀片為多片共軸安置的刀片。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：
將在厚度上精密磨制的墊圈放置在相鄰刀片之間用以控制相鄰刀片的距離。
6.如權利要求3所述的方法，其特征在于，還包括在所述基底上進一步形成用于離子引出的離子引出槽的步驟，其包括：
在所述基底預先形成一個用于制作離子引出槽的預埋槽，然后用所述切割方法切穿預埋槽上部的剩余基底材料形成離子引出槽。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為單一絕緣材料基底。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為絕緣材料與導電材料通過鍵合工藝形成的多層基底，其中導電材料包括摻雜的半導體材料。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述導通孔的方法包括：
在所述絕緣材料層預先形成導通孔的預埋孔，然后進行擴孔處理。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底切割出直線形溝槽之后還包括：對所述平面表面進行磨削處理使所述一個或多個直線形溝槽的深度縮減至預定深度。
11.如權利要求1或7所述的方法，其特征在于，還包括在被直線形溝槽分離的各分立電極區域制作金屬鍍層以形成離子光學電極，其方法包括：
在所述平面表面上以及所述切割出的一個或多個直線形溝槽的側壁上的至少一部分區域形成導電薄膜層作為離子光學電極。
12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述鍵合工藝前，進一步包括在所述絕緣材料的被鍵合面、側面、被鍵合面的相對面以及導通孔內制備導電電極，使得所述導電材料在鍵合后與所述導電電極在鍵合面上形成良好電性接觸。
13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在被直線形溝槽分離的各分立電極區域上以及在直線形溝槽內壁的部分區域制作金屬鍍層，其方法包括：蒸發鍍膜、磁控濺射或電鍍。
14.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述單一絕緣材料基底為陶瓷。
15.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述基底材料為經過靜電鍵合的玻璃和硅片。
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