[發明專利]共聚物組合物、光刻介電組合物及電氣或電子器件

有效

• 申請號: 201110146567.6
• 申請日: 2003-07-02
• 公開（公告）號: CN102298265A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 埃德蒙德·埃爾切;平野孝;小杰弗里·C·克羅廷;拉里·F·羅茲;布賴恩·L·古多爾;塞庫馬·賈亞拉曼;克里斯·麥克杜格爾;孫申亮
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: G03F7/038
• 分類號: G03F7/038;C08F232/08;H01L23/29
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陳海濤;樊衛民

1.含有共聚物的共聚物組合物，所述共聚物具有兩個或者多個下式I的重復單元：

其中X選自O，-CH₂-，和-CH₂-CH₂-；m是從0到5的整數；并且每次出現的R¹，R²，R³和R⁴獨立地選自下列基團之一：

(a)H，C₁到C₂₅的線性，支鏈和環烷基，芳基，芳烷基，烷芳基，烯基和炔基；

(b)包含一個或者多個選自O，N和Si的雜原子的C₁到C₂₅的線性，支鏈和環烷基，芳基，芳烷基，烷芳基，烯基和炔基；

(c)包含下式II的基團的環氧基：

其中A是選自C₁到C₆的線性，支鏈和環亞烷基的連接基團，而R²³和R²⁴獨立地選自H，甲基，和乙基；

(d)包含下式III的基團的環氧基：

其中p是0到6的整數，R²³和R²⁴如上所述，并且每次出現的R²¹和R²²獨立地選自H，甲基和乙基；

(e)-(CH₂)_nC(O)OR⁵，-(CH₂)_nC(O)OR⁶，-(CH₂)_nOR⁶，-(CH₂)_nOC(O)R⁶，-(CH₂)_nC(O)R⁶和-(CH₂)_nOC(O)OR⁶；以及

(f)通過連接基團連接起來的R¹，R²，R³和R⁴之中兩個的任一組合，所述連接基團選自C₁到C₂₅的線性，支鏈和環亞烷基以及亞烷芳基；其中n是從1到25的整數，R⁵是對酸敏感的基團，并且R⁶選自H，C₁到C₆的線性，支鏈以及環烷基，包含如上所定義II基團的環氧基團；并且

其中一部分具有結構式I的重復單元包含至少一種環氧官能側基。

2.包含下列成分的光刻介電組合物：

權利要求1的共聚物組合物，以及

經光子形成催化劑的材料。

3.權利要求2的光刻介電組合物，用于通過如下步驟在基質上形成光刻層：

提供基質；

用包含光刻介電組合物的組合物涂敷基質的至少一面以形成涂敷層；

將涂敷層曝光于輻射；以及

固化輻射曝光層。

4.權利要求2的光刻介電組合物，用于通過如下步驟在基質上形成光刻層：

提供基質；

通過將包含光刻介電組合物的溶液沉積在基質的至少一面以形成薄膜而使薄膜定影；

熱固化溶液。

5.包含權利要求1-4中任一項組合物的低K組合物。

6.權利要求5的低K組合物，其中組合物具有小于3.3的介電常數。