[發明專利]存儲器單元

無效

• 申請號: 201110145971.1
• 申請日: 2011-06-01
• 公開（公告）號: CN102270642A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 約翰·迪克·波特;陶國橋;吉多·J·M·多曼斯;喬希姆·C·H·格拉博
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種非易失性存儲器單元(200)，包括：浮置柵極晶體管(206)，所述浮置柵極晶體管包括位于控制柵極(14)和第一溝道區(232)之間的浮置柵極(10)；以及存取柵極晶體管(208)，所述存取柵極晶體管包括存取柵極(22)和第二溝道區(234)，所述第一溝道區(232)包括具有第一劑量水平(234)的第一注入物(242)，并且所述第二溝道區包括具有第二劑量水平的第二注入物(244)，所述第一劑量水平小于所述第二劑量水平。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器單元(200)，其中所述第一溝道區(232)和第二溝道區(234)形成在公共阱(36)中。

3.根據權利要求1或2所述的非易失性存儲器單元(200)，第一劑量水平在0至5e¹¹cm^-2的范圍之內。

4.根據任一前述權利要求所述的非易失性存儲器單元(200)，其中所述第二劑量水平在1e¹²至5e¹³cm^-2的范圍之內。

5.根據任一前述權利要求所述的非易失性存儲器單元(200)，其中所述第一注入物(242)和第二注入物(244)是彼此相同的物質。

6.根據任一前述權利要求所述的非易失性存儲器單元(200)，包括多個存取柵極晶體管(208)和/或多個浮置柵極晶體管(206)。

7.一種存儲器陣列，包括多個根據任一前述權利要求所述的非易失性存儲器單元(200)。

8.一種制造非易失性存儲器單元(200)的方法，所述非易失性存儲器單元包括：浮置柵極晶體管(206)，所述浮置柵極晶體管包括位于控制柵極和第一溝道區之間的浮置柵極；以及存取柵極晶體管(208)，所述存取柵極晶體管包括存取柵極和第二溝道區，所述第一溝道區包括具有第一劑量水平的第一注入物，并且所述第二溝道區包括具有第二劑量水平的第二注入物，所述第一劑量水平小于所述第二劑量水平，所述方法包括以下步驟：按照第一劑量將離子注入到襯底中；對所述襯底進行遮擋以形成遮擋部分和未遮擋部分；將另外的離子注入到未遮擋部分以在襯底中形成具有離子第二劑量水平的區域，所述第二劑量水平大于第一劑量水平，從而形成第一和第二注入物。

9.根據權利要求8所述的方法，包括另外的步驟：暴露所述襯底的遮擋部分，然后在所述襯底上生長隧穿氧化物層。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中對所述襯底進行遮擋以形成遮擋部分和未遮擋部分的步驟包括在所述襯底的一部分上沉積掩模層。

11.根據權利要求8至10中任一項所述的方法，包括另外的步驟：在所述隧穿氧化物層上沉積第一導電層。

12.根據權利要求11所述的方法，包括另外的步驟：在所述第一導電層上沉積電介質層，然后在所述電介質層上沉積第二導電層。