[發(fā)明專利]高導(dǎo)熱稀土/AlN/微晶玻璃復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110145386.1 | 申請日: | 2011-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN102336523A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李宏;程金樹;湯李纓;戚杰 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號: | C03C10/08 | 分類號: | C03C10/08;C03C10/02;C09K5/14 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
| 地址: | 430071 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)熱 稀土 aln 玻璃 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種高導(dǎo)熱基板材料領(lǐng)域,特別是一種新型高導(dǎo)熱稀土/AlN/微晶玻璃復(fù)合材料;本發(fā)明還涉及這種新型復(fù)合材料的制備方法。
背景技術(shù)
與傳統(tǒng)的玻璃相比較微晶玻璃具有機械強度大、硬度大、耐磨性好;具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性及熱穩(wěn)定性,能適應(yīng)惡劣的使用環(huán)境;電絕緣性能優(yōu)良,介電損耗小,介電常數(shù)穩(wěn)定等優(yōu)點,特別是其熱膨脹系數(shù)可以在很大范圍內(nèi)進行調(diào)整,因此在電子元件中得到了廣泛的應(yīng)用。如作為厚膜電容介質(zhì)、基板材料、包封材料、密封材料及焊接材料等。MgO-Al2O3-SiO2(MAS)系微晶玻璃由于不含堿金屬氧化物,且MgO在玻璃中的性質(zhì)介于網(wǎng)絡(luò)外體氧化物和中間體氧化物之間,既具有斷網(wǎng)作用,能夠降低玻璃軟化點溫度,實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié),又具有一定的聚集作用,所以MAS系微晶玻璃有著較低的熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良的機械性能、較小的介電常數(shù)和較低的介質(zhì)損耗。由于這些優(yōu)異的性能,MAS系微晶玻璃一直是人們的研究熱點。
當(dāng)微晶玻璃作為基板材料時,要求具有高的熱導(dǎo)率。而微晶玻璃基板的熱導(dǎo)率并不好,當(dāng)電熱元件在大功率、高溫運行時,熱導(dǎo)率低就有可能造成效率下降,造成設(shè)計成本的增加?,F(xiàn)階段開發(fā)的高熱導(dǎo)率陶瓷基板有AlN、SiC和BeO,其中BeO具有毒性,不利于環(huán)保;SiC介電常數(shù)偏高,不適宜作基板,所以AlN受到廣泛關(guān)注?,F(xiàn)有的AlN基板熱導(dǎo)率很高,熱導(dǎo)率是A12O3的2~10倍。但AlN材料韌性差、機械強度低,燒結(jié)溫度至少要達到1600℃以上,適用范圍受到了很大限制。以AlN和MAS系堇青石基玻璃制備低溫?zé)Y(jié)材料,可以提高材料的導(dǎo)熱性能,獲得具有良好綜合性能的低溫?zé)Y(jié)基板材料。通過低溫?zé)釅簾Y(jié)制備的AIN/玻璃復(fù)合材料,達到了較為理想的導(dǎo)熱性能,熱導(dǎo)率可達到6W?/(m·K)左右。AlN/MAS系統(tǒng)微晶玻璃復(fù)合材料具有較好的介電性能等優(yōu)點,但存在燒結(jié)困難、熱導(dǎo)率不夠理想等問題。通過摻入稀土來制備AlN/微晶玻璃復(fù)合材料,可促進燒結(jié)致密,改善微晶玻璃晶相,提高AlN/微晶玻璃復(fù)合材料的綜合性能。
中國專利200610022007.9文獻介紹了“一種新型低燒玻璃陶瓷復(fù)合材料及其制備方法”。該復(fù)合材料采用氮化鋁和堇青石基玻璃在熱壓燒結(jié)條件下制備,用于先進電子封裝。
中國專利200710118465.7文獻介紹了“氮化鋁/硼硅酸鹽玻璃低溫共燒陶瓷基板材料及其制備方法”。該陶瓷基板材料采用SiO2-B2O3-ZnO-Al2O3-Li2O系玻璃與氮化鋁粉末在850~1050℃下熱壓低溫?zé)Y(jié),可以在大功率器件、高密度封裝中使用。
中國專利200710029335.6文獻介紹了“基于微晶玻璃基板的厚膜電路電熱元件及其制備工藝”。?該電熱元件包括CaO-Al2O3-SiO2-B2O3-La2O3系統(tǒng)和Li2O-Al2O3-SiO2-P2O3-La2O3系統(tǒng)微晶玻璃基片和以厚膜電路形式制備在基片上的電子漿料。
中國專利200810029435.3文獻介紹了“基于氮化鋁微晶陶瓷基板的稀土厚膜電路電熱元件及其制備工藝”。該電熱元件包括采用氮氣氣氛燒結(jié)制備的AlN-YF3-Y2O3-CaF2-La2O3-ZrO2稀土微晶陶瓷基片和以厚膜電路形式制備在基片上的電子漿料。
未檢索到與稀土/AlN/微晶玻璃復(fù)合材料相同的專利。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種高導(dǎo)熱稀土/AlN/微晶玻璃復(fù)合材料,涉及一種稀土/AlN/微晶玻璃復(fù)合材料的組分配方及其制備方法,以便制備適于各種器件傳熱、散熱等用途的高導(dǎo)熱基板材料。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案:
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- 專利分類
C03C 玻璃、釉或搪瓷釉的化學(xué)成分;玻璃的表面處理;由玻璃、礦物或礦渣制成的纖維或細(xì)絲的表面處理;玻璃與玻璃或與其他材料的接合
C03C10-00 微晶玻璃陶瓷,即結(jié)晶相分散于玻璃相中,并至少為總組成的50
C03C10-02 .非二氧化硅及非硅酸鹽結(jié)晶相,例如尖晶石、鈦酸鋇
C03C10-04 .硅酸鹽或多硅酸鹽結(jié)晶相,例如莫來石、透輝石、硝石、斜長石
C03C10-14 .二氧化硅結(jié)晶相,例如填塞石英、方石英
C03C10-16 .含鹵素的結(jié)晶相
C03C10-06 ..二價金屬氧化物的鋁硅酸鹽結(jié)晶相,例如鈣長石、礦渣陶瓷
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