[發明專利]半導體芯片、發光器件和制造半導體芯片的方法

有效

• 申請號: 201110144449.1
• 申請日: 2011-05-31
• 公開（公告）號: CN102263172A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 金澤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/18
• 分類號: H01L33/18;H01L27/15;H01L33/00;B82Y20/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體芯片，包括：

至少一個第一區域，配置成發射具有至少第一波長的光，所述至少一個第一區域包括多個第一發光結構，該多個第一發光結構布置成所述多個第一發光結構中相鄰的第一發光結構的基底之間具有第一間隙；以及

至少一個第二區域，具有平坦表面和多個第二發光結構兩者之一，所述平坦表面垂直于所述多個第一發光結構的突起方向，所述多個第二發光結構彼此相鄰地布置，所述至少一個第二區域被配置成發射具有至少第二波長的光，所述第二波長與所述第一波長不同。

2.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中所述多個第二發光結構彼此相鄰地布置，所述多個第二發光結構中相鄰的第二發光結構的基底之間不具有間隙。

3.根據權利要求1所述的半導體芯片，其中所述多個第一發光結構具有多棱錐形狀。

4.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，還包括：

多個電介質層部分，所述多個電介質層部分中的每一個設置在相應的第一間隙中。

5.根據權利要求4所述的半導體芯片，其中所述多個電介質層部分不被所述多個第一發光結構覆蓋。

6.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，其中所述多個第一發光結構中的每一個包括多個半極性表面。

7.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，還包括：

第一氮化物半導體層，其上形成所述至少一個第一區域和所述至少一個第二區域；其中

所述多個第一發光結構中的每一個包括：

基底部分，由與所述第一氮化物半導體層相同的材料形成，

第一有源層，形成在所述基底部分上，以及

第二氮化物半導體層，形成在所述第一有源層上。

8.根據權利要求7所述的半導體芯片，其中多個多層結構設置在所述多個第一發光結構之間，所述多個多層結構中的每一個包括：

第二有源層，

第三氮化物半導體層，形成在所述第二有源層上，以及

所述平坦的表面。

9.根據權利要求8所述的半導體芯片，其中所述多層結構發射具有所述第二波長的光，以及其中所述第一波長比所述第二波長長。

10.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，還包括：

多個第一區域以及多個第二區域，在基板上交替地布置。

11.根據權利要求10所述的半導體芯片，其中所述多個第一區域和所述多個第二區域布置以形成發光陣列。

12.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，其中所述至少一個第二區域包括具有第一寬度的所述平坦表面，其中所述第一寬度比所述第一間隙的寬度大。

13.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，其中所述至少一個第二區域包括所述多個第二發光結構，以及其中所述至少一個第一區域通過第二間隙與所述至少一個第二區域分離。

14.根據權利要求13所述的半導體芯片，其中所述第一間隙的寬度是與所述第二間隙的寬度相同的寬度。

15.根據權利要求1至3任意之一所述的半導體芯片，其中所述多個第一發光結構以及所述多個第二發光結構是納米級發光結構。

16.一種發光器件，包括：

根據權利要求1至3任意之一所述的至少一個半導體芯片。

17.根據權利要求16所述的發光器件，還包括：

散熱器；

硅基座，布置在所述散熱器上，所述至少一個半導體芯片布置在所述硅基座上；

陽極引線和陰極引線，耦接到所述硅基座；

外封裝，圍繞所述散熱器；以及

透鏡狀結構，圍繞所述硅基座和所述至少一個半導體芯片。