[發(fā)明專利]半導體構(gòu)件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110144219.5
• 申請日: 2011-05-31
• 公開（公告）號: CN102737985A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖建茂;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/321;H01L21/768
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種半導體構(gòu)件的制造方法，包括：

提供一基底，該基底中已形成有一開口；

于該基底上形成一材料層，且該材料層填滿該開口，而位于該開口外部且位于該開口上方的該材料層中具有一凹陷；

于該凹陷的表面上形成一犧牲層；以及

進行一化學機械研磨處理，以移除該犧牲層及位于該開口外部的該材料層，其特征在于該化學機械研磨處理對該材料層的研磨速率大于對該犧牲層的研磨速率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該開口的深度為70μm至150μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該開口的寬度為10μm至40μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該開口的深寬比為1.8至15。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該凹陷的階梯高度為2μm至4μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該材料層的材料包括金屬材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該犧牲層的形成方法包括：

于該材料層上形成一犧牲材料層；以及

移除位于該凹陷外部的該犧牲材料層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于位于該凹陷外部的該犧牲材料層的移除方法包括化學機械研磨法。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該犧牲層的材料包括介電材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體構(gòu)件的制造方法，其特征在于該半導體構(gòu)件包括硅通孔結(jié)構(gòu)。