[發(fā)明專利]多晶硅納米線太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110143760.4
• 申請(qǐng)日: 2011-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN102227002A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王慶康;萬霞;王陽培華;李翔;胡克想
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 上海交達(dá)專利事務(wù)所 31201
• 代理人: 王毓理

1.一種多晶硅納米線太陽能電池，其特征在于，包括：由上而下依次設(shè)置的復(fù)合層?xùn)烹姌O、透明ITO導(dǎo)電薄膜層、氮化硅鈍化抗反射層、n型硅納米線陣列、p型硅基底和金屬背電極，其中：透明ITO導(dǎo)電薄膜層、氮化硅鈍化抗反射層和n型硅納米線陣列均為方波結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅納米線太陽能電池，其特征是，所述的復(fù)合層?xùn)烹姌O由含有Ti、Pd、Ag三種金屬材料的銀漿料高溫?zé)Y(jié)而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅納米線太陽能電池，其特征是，所述的n型硅納米線陣列中納米線的直徑為30nm-250nm。

4.一種根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述太陽能電池的制備方法，其特征在于，通過將p型多晶硅片與氫氟酸和硝酸銀的混合液蝕刻反應(yīng)后，通過對(duì)納米線熱擴(kuò)散進(jìn)行n型摻雜，制成由n型摻雜的納米線結(jié)構(gòu)多晶硅層和p型摻雜的多晶硅基底層組成p-n結(jié)；然后在納米線結(jié)構(gòu)多晶硅層的正面依次沉積氮化硅鈍化抗反射層和透明ITO導(dǎo)電薄膜層，采用絲網(wǎng)印刷方式得到復(fù)合層?xùn)烹姌O；最后在p型基底背面采用濺射、蒸發(fā)或涂敷方式制備得到金屬背電極并進(jìn)行退火合金化處理，得到所述多晶硅納米線太陽能電池。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的池的制備方法，其特征是，所述的p型多晶硅片是指：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體清洗步驟，即RCA方法對(duì)p型多晶硅片進(jìn)行清洗，并在常溫下用氮?dú)獯蹈伞?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的池的制備方法，其特征是，所述的氫氟酸和硝酸銀的混合液中：氫氟酸的質(zhì)量百分比為20％，硝酸銀的濃度為0.045mol/L，其余為去離子水。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的池的制備方法，其特征是，所述的蝕刻反應(yīng)是指：在常溫常壓下將p型多晶硅片放入氫氟酸和硝酸銀的混合液中密封反應(yīng)15-60min，用去離子水沖洗掉殘留刻蝕液后并浸入HNO₃質(zhì)量比為20％的稀硝酸溶液中去除還原的銀沉積物。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的池的制備方法，其特征是，所述的退火合金化處理是指：在500-800℃的環(huán)境下退火合金化1-30min，形成歐姆接觸和鋁背面場。