[發明專利]一種高反應率反應室

無效

• 申請號: 201110142250.5
• 申請日: 2011-05-30
• 公開（公告）號: CN102212799A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 趙紅軍;劉鵬;李燮;陸羽;畢綠燕;孫永健;張國義
• 申請（專利權）人: 東莞市中鎵半導體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/34
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 譚一兵

1.一種高反應率反應室，包括室體（1），室體（1）具有頂壁（11）、底壁（12）及連接頂壁（11）與底壁（12）的兩側壁（13），其特征在于：所述頂壁（11）內側面上設有復數上擋板（21），所述底壁（12）內側面上設有復數下擋板（22），所述上擋板（21）與下擋板（22）向內的頂端上下相互交叉，所述上擋板（21）與下擋板（22）之間平行的間隔排布，室體（1）上連接有輸入管道（3）及輸出管道（4）。

2.根據權利要求1所述的一種高反應率反應室，其特征在于：所述室體（1）的下部設置有金屬源連通口（5）。

3.根據權利要求1所述的一種高反應率反應室，其特征在于：所述擋板（2）的一端固定于頂壁（11）或底壁（12）上，另一端延伸至室體（1）內。

4.根據權利要求1所述的一種高反應率反應室，其特征在于：所述輸入管道（3）設置于側壁（13）上，或輸入管道（3）設置于底壁（12）上；輸出管道（4）設置于側壁（13）上，或輸出管道（4）設置于頂壁（11）上。