[發明專利]一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法有效
| 申請號： | 201110141913.1 | 申請日： | 2011-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN102214584A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發明（設計）人： | 孔月嬋;薛舫時;周建軍;董遜;陳辰 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京君陶專利商標代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制造 inxal1 xn 復合 gan 增強 場效應 方法 | ||
1.一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是該方法包括如下藝步驟：
一、在襯底上依次生長成核層(13)、AlxGa1-xN緩沖層(14)、GaN溝道層(15)、AlxGa1-xN插入層(16)和高In組分InxAl1-xN下勢壘層(17)，使溝道中不產生二維電子氣；
二、在高In組分InxAl1-xN下勢壘層(17)上生長AlxGa1-xN插入層(18)，再覆蓋低In組分InxAl1-xN上勢壘層(19)，構成復合勢壘,使溝道產生高濃度二維電子氣；
三、在InxAl1-xN上勢壘層(23)上制作源電極(21)和漏電極(22)；
四、用微電子工藝在預留制作柵電極的區域去除低In組分InxAl1-xN上勢壘層(23)和AlxGa1-xN插入層(24)；
五、在去除低In組分InxAl1-xN上勢壘層和AlxGa1-xN插入層的區域制作柵電極(20)；式中的x是組分。
2.根據權利要求1所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是AlxGa1-xN緩沖層(14)Al組分0≤x≤0.1，包括GaN。
3.根據權利要求1所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是AlxGa1-xN插入層(16)Al組分0≤x≤1，包括AlN。
4.根據權利要求1所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是AlxGa1-xN插入層(18)Al組分0≤x≤1，包括AlN。
5.根據權利要求4所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是所述的AlxGa1-xN插入層(18)可以不被采用。
6.根據權利要求1所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是InxAl1-xN下勢壘層(17)的In組分0<x≤0.5。
7.根據權利要求1所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是InxAl1-xN上勢壘層(19)的In組分0≤x≤0.5。
8.根據權利要求1所述的一種制造InxAl1-xN復合勢壘GaN增強型場效應管的方法，其特征是InxAl1-xN下勢壘層(17)In組分大于InxAl1-xN上勢壘層(19)In組分。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
