[發(fā)明專利]背接觸晶體硅太陽能電池片制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110141575.1
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102800743A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 章靈軍;張鳳;吳堅;王栩生
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種背接觸晶體硅太陽能電池片制造方法，其特征在于，包括；

在半導體基片的表面進行打孔、制絨；

在制絨后所述半導體基片的表面上及通孔的內壁上進行擴散，形成P-N結；

在擴散后所述半導體基片的通孔內設置阻擋漿料；對設置阻擋漿料后所述半導體基片的進行刻蝕；

去除刻蝕后所述半導體基片上通孔內的阻擋漿料；

將去除阻擋漿料后所述半導體基片上的摻雜玻璃層去除；

對去摻雜玻璃層后所述半導體基片進行處理后得到背接觸晶體硅太陽能電池片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在半導體基片的表面進行擴散的過程為：

在所述半導體基片的單面或雙面進行擴散，并且對所述半導體基片的通孔內壁進行擴散。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，當在所述半導體基片進行擴散后，所述對設置阻擋漿料后所述半導體基片進行刻蝕的過程為：

對設置阻擋漿料后所述半導體基片的側面和背光面進行刻蝕。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻擋漿料的材料為高分子樹脂。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除刻蝕后所述半導體基片上的阻擋漿料的過程為：

采用溫度為20℃-90℃，濃度為0.05％-10％的堿液沖洗所述半導體基片上的阻擋漿料。

6.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，對去除摻雜玻璃層后所述半導體基片進行處理過程為：

在去除摻雜玻璃層后所述半導體基片的受光面上鍍膜；

在鍍膜后所述半導體基片上制備電極及背電場得到背接觸晶體硅太陽能電池片。