[發明專利]多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置及其調節方法

有效

• 申請號: 201110141514.5
• 申請日: 2011-05-30
• 公開（公告）號: CN102154629A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 李嚴州;張華芹;程佳彪;茅陸榮
• 申請（專利權）人: 上海森松化工成套裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/24
• 代理公司: 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙) 31243
• 代理人: 馬育麟

技術領域

本發明涉及一種氣體進出量的調節裝置，特別是一種可以調節多晶硅CVD爐混合氣進出量的調節裝置，屬于新能源太陽能光伏產業技術領域。

背景技術

多晶硅是半導體、大規模集成電路和太陽能產業的重要原材料，在太陽能光伏產業市場的拉動及巨大利潤誘導下，各地多晶硅項目紛紛上馬，多晶硅產業前景廣闊，發展迅猛，在中國已經成為投資的熱點。

目前，生產多晶硅的工藝主要以“改良西門子法”（即SiHCl₃還原法）為主流技術，?其關鍵設備就是多晶硅CVD爐。SiHCl₃和H₂按照一定比例通入到多晶硅CVD爐中，一定壓力和溫度的環境條件下，在導電硅芯上進行還原反應沉積多晶硅。

同時，多晶硅也是一個高能耗、高污染的產業，這對多晶硅生產企業的擴建和發展有了一定制約。如何生成高效率、高品質、低能耗的多晶硅已成為多晶硅市場的需求，所有多晶硅生產企業要求多晶硅CVD爐能高效率、低能耗地生產更多高品質的多晶硅。

發明內容

為了提高多晶硅的生產質量和生產效率，降低多晶硅生產成本，本發明提供一種多晶硅CVD爐混合氣進出氣量調節裝置與調節方法，能有效提高多晶硅產品質量，提高多晶硅生產效率，同時降低多晶硅生產成本。

為了實現上述目的，本發明多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置，包括進氣量調節裝置與/或者出氣量調節裝置。

作為本發明的一種優選方案，所述進氣量調節裝置包括進氣口與進氣量調節閥。

作為本發明的一種優選方案，所述進氣口分為若干個進氣孔。

作為本發明的一種優選方案，出氣量調節裝置進一步包括中心口出氣量調節裝置和非中心出口出氣量調節裝置。

作為本發明的一種優選方案，所述中心口出氣調節裝置包括中心口出氣量調節閥與中心出氣口，所述非中心口出氣調節裝置包括非中心口出氣量調節閥與非中心出氣口。

作為本發明的一種優選方案，所述中心出氣口與非中心出氣口分為若干個出氣孔。

作為本發明的一種優選方案，所述進氣量調節裝置與多晶硅CVD爐的混合氣進氣裝置連接，所述出氣量調節裝置與多晶硅CVD爐的混合氣出氣裝置連接。

利用本發明提供的多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置進行的調節方法，多晶硅CVD爐混合氣進氣時，通過進氣量調節閥調整進氣口上的進氣孔的大小，以調整混合氣進氣量，進而調節多晶硅CVD爐內的溫度，使得多晶硅CVD爐內溫度下降，減小霧化等不良現象，以減小多晶硅生產過程產生的玉米狀顆粒，提高多晶硅生產效率和多晶硅的產品質量。

作為本發明的一種優選方案，多晶硅生產前期，調節中心口出氣量調節閥，打開多晶硅CVD爐的中心出氣口，調節非中心口出氣量調節閥，關閉非中心出氣口。確保混合氣體能在多晶硅CVD爐內停留足夠的時間，以得到充分利用，使多晶硅還原反應沉積更加充分，讓多晶硅生產效率達到最高。

作為本發明的一種優選方案，多晶硅生產后期，調節中心口出氣量調節閥與非中心出氣口調節閥，打開多晶硅CVD爐的中心出氣口和非中心出氣口，確保多晶硅CVD爐內混合氣的流場更加穩定，使多晶硅產品更加均勻，保證多晶硅品質和生長速率。

本發明提供的多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置及其調節方法，操作簡單，能使混合氣在多晶硅CVD爐內得到充分、均勻的還原沉積反應，降低生產過程中的霧化等不良現象，可以有效提高多晶硅CVD爐生產出的多晶硅品質和生產效率，大大降低多晶硅生產成本。

附圖說明

圖1為本發明多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置的示意圖。

附圖標記：1進氣量調節閥，2中心口出氣量調節閥，3非中心口出氣量調節閥，4進氣口，5中心出氣口，6非中心出氣口。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步說明：

如圖1所示，多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置包括進氣量調節裝置與出氣量調節裝置，進氣量調節裝置包括進氣口4與進氣量調節閥1，進氣口4分為若干個進氣孔。

出氣量調節裝置包括中心口出氣調節裝置與非中心口出氣調節裝置，中心口出氣調節裝置包括中心口出氣量調節閥2與中心出氣口5，非中心口出氣調節裝置包括非中心口出氣量調節閥3與非中心出氣口6，中心出氣口5與非中心出氣口6分為若干個出氣孔。

進氣量調節裝置與多晶硅CVD爐的混合氣進氣裝置連接，出氣量調節裝置與多晶硅CVD爐的混合氣出氣裝置連接。

利用上述多晶硅CVD爐混合氣進出量調節裝置的調節方法：

多晶硅CVD爐混合氣進氣時，當爐內出現類似于霧化等不良現象時，適當調節進氣量調節閥1調整進氣口4上的進氣孔的大小，以調整混合氣進氣量來穩定爐內溫度以降低霧化等不良現象，達到提高多晶硅CVD爐的生產效率、提高多晶硅品質和降低多晶硅生產成本等目的。多晶硅生產前期，調節中心口出氣量調節閥2，打開多晶硅CVD爐的中心出氣口5，調節非中心口出氣量調節閥3，關閉非中心出氣口6。保證混合氣體能在多晶硅CVD爐內停留足夠的時間，使得混合氣在多晶硅CVD爐內經過更充分的化學反應沉積多晶硅。多晶硅生產后期，同時調節中心口出氣量調節閥2與非中心出氣口調節閥3，打開多晶硅CVD爐的中心出氣口5和非中心出氣口6，確保多晶硅CVD爐內混合氣的流場更加穩定，使多晶硅產品更加均勻，保證多晶硅品質和生長速率。