[發(fā)明專利]離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用及其手機部件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110141010.3
• 申請日: 2011-05-30
• 公開（公告）號: CN102223425A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃志宏;丁陽;韓輝升;張勁松;黃誠
• 申請（專利權(quán)）人: 南通萬德電子工業(yè)有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;C08L77/00;C08L55/02;C08L69/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用，采用離子注入機將離子注入高分子材料制品的表面，離子注入機含有離子形成區(qū)(1)、離子引出區(qū)(4)和靶位(6)，離子形成區(qū)(1)含有觸發(fā)極(2)和離子源(3)，離子引出區(qū)(4)含有加速電場(5)，靶位(6)便于放置高分子材料制品，其特征在于：注入的離子為硼離子、碳離子、氮離子、氧離子、氟離子、硅離子、磷離子、氦離子、氖離子、氬離子、非金屬元素的離子團、鋁離子、鎂離子、鈦離子、鉻離子這些離子中一種或者數(shù)種，產(chǎn)生上述離子的離子源(3)是含有其元素的氣體或者含有其元素的化合物；高分子材料制品為手機按鍵、其它用途按鍵、手機外殼或者手機屏幕(7)；離子注入時的離子注入量為10¹⁰/cm²-10¹⁷/cm²。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用，其特征在于：所注入的離子是硼離子、碳離子、氮離子、硅離子、磷離子、氦離子、氖離子或氬離子這樣的非金屬離子，是正價離子或者負價離子；當(dāng)離子形成區(qū)(1)形成的是正價離子時，離子引出區(qū)(4)的加速電場(5)的陽極靠近離子形成區(qū)(1)，陰極靠近靶位(6)；當(dāng)離子形成區(qū)(1)形成的是負價離子時，離子引出區(qū)(4)的加速電場(5)的陰極靠近離子形成區(qū)(1)，陽極靠近靶位(6)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用，其特征在于：所述的離子注入機的觸發(fā)極(2)材料為鎢絲或鉬絲，觸發(fā)極(2)的觸發(fā)溫度為1000℃-3000℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的所述的離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用，其特征在于：所述的離子注入機內(nèi)部空間的真空度為10^-3pa-10^-5pa，離子注入時間為5min-240min，經(jīng)加速電場(5)加速的離子的能量為10KeV-300KeV。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用，其特征在于：所述的靶位(6)放置的是手機按鍵或其它用途按鍵，手機按鍵或其它用途按鍵的外表面朝外，注入手機按鍵或其它用途按鍵的離子是非金屬離子或者是金屬離子；或者，靶位(6)放置的是手機外殼，手機外殼的外表面朝外，注入手機外殼的離子是非金屬離子或者是金屬離子；或者，靶位(6)放置的是手機屏幕，手機屏幕的外表面朝外，注入手機屏幕的離子是非金屬離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用，其特征在于：離子注入所述的手機外殼、手機按鍵或其它用途按鍵時，形成的離子束電流為1μA-1A；離子注入手機屏幕時，形成的離子束電流為1μA-0.5A；如注入的離子是數(shù)種，按照先后順序分別注入手機部件或其它用途按鍵的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入技術(shù)在手機部件上的應(yīng)用的手機部件，其特征在于：所述的手機部件為手機按鍵、其它用途按鍵、手機外殼或者手機屏幕(7)，其外表面注入離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的手機部件，其特征在于：所述的手機按鍵或其它用途按鍵的材質(zhì)為塑料、橡膠或者橡塑，注入的離子是在手機按鍵或其它用途按鍵成型后的外表面、或者手機按鍵或其它用途按鍵上的字符印制后的外表面、或者按鍵涂裝面漆之后的外表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的手機部件，其特征在于：所述的手機外殼的材質(zhì)為塑料或塑料合金，注入的離子是在手機外殼成型后的外表面、或者手機外殼涂裝面漆之后的外表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的手機部件，其特征在于：所述的手機屏幕的材質(zhì)為透明塑料或者透明塑料合金，注入的離子是在手機屏幕成型后的外表面。