[發明專利]氮化物基發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110140333.0
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102651440A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 陳周;樸健
• 申請（專利權）人: 半材料株式會社;樸健
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 林錦輝;陳英俊

1.一種包括在p型氮化物層與n型ZnO層之間的發光活性層的氮化物基發光器件，其特征在于包括：

生長基底；

粉末型籽晶層，所述粉末型籽晶層形成于所述生長基底上用于氮化物生長；

p型氮化物層，所述p型氮化物層形成于用于氮化物生長的籽晶層上；

發光活性層，所述發光活性層形成于該p型氮化物層上；以及

n型ZnO層，所述n型ZnO層形成于該發光活性層上。

2.根據權利要求1的氮化物基發光器件，其特征在于：用于氮化物生長的籽晶層包含GaN粉末。

3.根據權利要求1的氮化物基發光器件，其特征在于：用于氮化物生長的籽晶層包含藍寶石粉末。

4.根據權利要求1的氮化物基發光器件，其特征在于：用于氮化物生長的籽晶層包含硅石粉末。

5.根據權利要求1的氮化物基發光器件，其特征在于：生長基底為硅基底或藍寶石基底。

6.根據權利要求1的氮化物基發光器件，其特征在于：生長基底為p型硅基底。

7.根據權利要求1的氮化物基發光器件，其特征在于：生長基底具有不平坦表面。

8.根據權利要求1的氮化物基發光器件，進一步包括：在用于氮化物生長的籽晶層與p型氮化物層之間的氮化物緩沖層。

9.根據權利要求8的氮化物基發光器件，其特征在于：所述緩沖層包含p型氮化物。

10.一種制造包括在p型氮化物層與n型ZnO層之間的發光活性層的氮化物基發光器件的方法，其特征在于包括：

利用粉末在生長基底上形成用于氮化物生長的籽晶層；

在用于氮化物生長的籽晶層上形成緩沖層；

在用于氮化物生長的籽晶層上形成p型氮化物層；

在p型氮化物層上形成發光活性層；以及

在發光活性層上形成n型ZnO層。

11.根據權利要求10的方法，其特征在于：用于氮化物生長的籽晶層包含GaN粉末。

12.根據權利要求10的方法，其特征在于：用于氮化物生長的籽晶層包含藍寶石粉末。

13.根據權利要求10的方法，其特征在于：用于氮化物生長的籽晶層包含硅石粉末。

14.根據權利要求10的方法，其特征在于：形成用于氮化物生長的籽晶層包括將粉末放置在所述生長基底上，并加熱該生長基底以使得將所述粉末貼附到該生長基底上。

15.根據權利要求10的方法，其特征在于：形成用于氮化物生長的籽晶層包括利用旋涂器將含有所述粉末的溶液涂敷到所述生長基底上，并干燥所述生長基底。

16.根據權利要求10的方法，其特征在于：所述緩沖層包含p型氮化物。