[發明專利]氮化物基發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110140320.3
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102651434A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 陳周;樸健
• 申請（專利權）人: 半材料株式會社;樸健
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 林錦輝;陳英俊

1.一種包括位于p型氮化物層與n型ZnO層之間的發光活性層的氮化物基發光器件，其特征在于：包括

生長基底；

晶格緩沖層，所述晶格緩沖層形成于所述生長基底上；

p型氮化物層，所述p型氮化物層形成于該晶格緩沖層上；

發光活性層，所述發光活性層形成于該p型氮化物層上；以及

n型ZnO層，所述n型ZnO層形成于該發光活性層上，

該晶格緩沖層是由具有纖維鋅礦晶格結構的材料的粉末形成。

2.根據權利要求1所述的氮化物基發光器件，其特征在于該晶格緩沖層是由ZnO粉末形成的。

3.根據權利要求2所述的氮化物基發光器件，其特征在于：所述ZnO粉末的平均顆粒尺寸為10nm到1μm。

4.根據權利要求1所述的氮化物基發光器件，其特征在于：所述生長基底是硅基底或藍寶石基底。

5.根據權利要求1所述的氮化物基發光器件，其特征在于：所述生長基底具有不平坦表面。

6.根據權利要求1所述的氮化物基發光器件，還包括：位于所述晶格緩沖層與所述p型氮化物層之間的氮化物緩沖層。

7.根據權利要求6所述的氮化物基發光器件，其特征在于：所述氮化物緩沖層包含從AlN、ZrN和GaN中選出的至少一種氮化物。

8.根據權利要求6所述的氮化物基發光器件，其特征在于：所述氮化物緩沖層包含p型氮化物。

9.一種制造包括位于p型氮化物層與n型ZnO層之間的發光活性層的氮化物基發光器件的方法，其特征在于：包括：

利用具有纖維鋅礦晶格結構的材料的粉末在生長基底上形成晶格緩沖層；

在該晶格緩沖層上形成緩沖層；

在該緩沖層上形成p型氮化物層；

在該p型氮化物層上形成發光活性層；以及

在該發光活性層上形成n型ZnO層。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于：該晶格緩沖層是由ZnO粉末形成的。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：該ZnO粉末是通過在硅基底或藍寶石基底上沉積ZnO并將沉積有ZnO的基底研磨成粉末而形成的。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：所述形成緩沖層是在惰性氣體氣氛下進行的，并且所述形成p型氮化物層以及所述形成發光活性層是在氫氣氣氛下進行的，使得一些或全部ZnO粉末被氫氣蝕刻而在生長基底與緩沖層之間形成氣孔。