[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110139905.3 | 申請日： | 2011-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN102468246A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳憲偉;楊宗穎 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/60;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 張?jiān)≡?張志杰 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 及其 制作方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件，包括：
一基板，具有一密封環(huán)區(qū)與一電路區(qū)；
至少一角落凸塊，配置于該電路區(qū)中；
一密封環(huán)結(jié)構(gòu)，配置于該密封環(huán)區(qū)中；以及
一連接結(jié)構(gòu)，電性連接該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的一金屬層與該至少一角落凸塊，該至少一角落凸塊耦接一信號接地。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該密封環(huán)結(jié)構(gòu)包括一圍繞該電路區(qū)的金屬疊層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該至少一角落凸塊位于該電路區(qū)的一三角形角落凸塊區(qū)中，該三角形角落凸塊區(qū)具有相同的邊長1.7C，其中C為該至少一角落凸塊的直徑。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該至少一角落凸塊位于該電路區(qū)的一三角形角落凸塊區(qū)中，該三角形角落凸塊區(qū)具有相同的邊長1.7C至1.7C+P，其中C為該至少一角落凸塊的直徑，P為相鄰的角落凸塊的中心的間距。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，還包括：
多個(gè)角落凸塊，配置于該電路區(qū)中，其中各該角落凸塊電性連接該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的該金屬層。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中三個(gè)角落凸塊配置于該電路區(qū)的一三角形角落凸塊區(qū)中，該三角形角落凸塊區(qū)具有相同的邊長1.7C+P，其中C為該至少一角落凸塊的直徑，P為相鄰的角落凸塊的中心的間距。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中三個(gè)角落凸塊各電性連接該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的該金屬層，且該電路區(qū)的面積約大于225毫米平方。
8.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包括：
提供一基板，該基板具有一密封環(huán)區(qū)與一電路區(qū)；
提供至少一角落凸塊于該電路區(qū)的一三角形角落凸塊區(qū)中；
提供一密封環(huán)結(jié)構(gòu)于該密封環(huán)區(qū)中；
電性連接該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的一金屬層至該至少一角落凸塊；以及
電性連接該至少一角落凸塊至一信號接地。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
電性連接該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的該金屬層至一單一角落凸塊，該單一角落凸塊位于該三角形角落凸塊區(qū)中，其中該電路區(qū)的面積約小于或等于100毫米平方。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包括：
電性連接該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的該金屬層至至少一角落凸塊，該至少一角落凸塊位于該三角形角落凸塊區(qū)中，其中該電路區(qū)的面積約介于100毫米平方與225毫米平方之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經(jīng)臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110139905.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
